均勻摻雜的半導(dǎo)體只有很少的應(yīng)用。幾乎所有的固態(tài)器件都是由多個p型和n型區(qū)域組合而成。p型和n型區(qū)域之間的交界面就被稱為pn結(jié)，或簡單的稱為結(jié)。

圖1.8a中是兩片硅。左邊是一塊p型硅，右邊則是一塊n型硅。只要他們之間沒有接觸就沒有結(jié)。每塊硅里都有均勻分布的載流子。p型硅里有大量的多數(shù)載流子空穴和一些電子，而n型硅里有大量的多數(shù)載流子電子和一些空穴。

圖1.8 硅中載流子在結(jié)形成前（a）和形成后（b）的分布。

現(xiàn)在，假設(shè)這兩塊硅互相接觸而形成一個結(jié)。連接之后沒有對載流子運動有影響的物理障礙。在p型硅中就有大量過剩的空穴，而在n型硅中有大量過剩的電子。一些空穴就從p型硅中擴(kuò)散到了n型硅中。一樣的，也有一些電子從n型硅中擴(kuò)散到了p型硅中。圖1.8b就是擴(kuò)散后的結(jié)果。許多載流子沿著結(jié)往兩個方向擴(kuò)散。兩邊的少數(shù)載流子的濃度都上升到超過靠單獨摻雜能達(dá)到的水平。沿著結(jié)由擴(kuò)散所造成的過剩的少數(shù)載流子被稱為過剩少數(shù)載流子濃度。