雖然，光刻和刻蝕是兩個(gè)不同的加工工藝，但因?yàn)檫@兩個(gè)工藝只有連續(xù)進(jìn)行，才能完成真正意義上的圖形轉(zhuǎn)移。在工藝線上，這兩個(gè)工藝是放在同一工序，因此，有時(shí)也將這兩個(gè)工藝步驟統(tǒng)稱為光刻。
濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法。
干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的。

濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，它刻蝕完當(dāng)前薄膜就會(huì)停止，而不會(huì)損壞下面一層其他材料的薄膜。在硅片表面清洗及圖形轉(zhuǎn)換中，濕法刻蝕一直沿用至20世紀(jì)70年代中期，即一直到特征尺寸開始接近膜厚時(shí)。因?yàn)樗械陌雽?dǎo)體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。此外，濕法刻蝕還受更換槽內(nèi)腐蝕液而必須停機(jī)的影響。
目前，濕法工藝一般被用于工藝流程前面的硅片準(zhǔn)備階段和清洗階段。而在圖形轉(zhuǎn)換
中，干法刻蝕已占據(jù)主導(dǎo)地位。