摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導體區(qū)域中，以達到改變半導體電學性質(zhì)，形成pn結(jié)、電阻、歐姆接觸
磷(p)、砷(as) — n型硅
硼(b) — p型硅
摻雜工藝：擴散、離子注入
擴 散
替位式擴散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：
ⅲ、ⅴ族元素
一般要在很高的溫度(950～1280℃)下進行，橫向擴散嚴重。但對設備的要求相對較低。
磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴散系數(shù)均遠小于在硅中的擴散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴散的掩蔽層
間隙式擴散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：
na、k、fe、cu、au 等元素
擴散系數(shù)要比替位式擴散大6～7個數(shù)量級
（絕對不許用手摸硅片—防止na+沾污。）

例如，在n型襯底上摻硼，可以使原先的n型襯底電子濃度變小，或使n型襯底改變成p型；如在n型襯底表面摻磷，可以提高襯底的表面雜質(zhì)濃度。
摻雜分為熱擴散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工藝(刻蝕)為摻雜確定摻雜的區(qū)域，在需要摻雜處(即摻雜窗口)裸露出硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料進行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同時作為摻雜屏蔽。

對p型襯底，如果將一定濃度的ⅴ價元素摻入，將使原先的p型襯底空穴濃度變低，或使p型襯底改變?yōu)閚型。同樣的，如果在p型襯底表面摻硼，將提高p型襯底的表面濃度。
所謂熱擴散摻雜就是利用原子在高溫下的擴散運動，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴散并形成一定的分布。熱擴散通常分兩個步驟進行：預淀積和再分布。預淀積是在高溫下，利用雜質(zhì)源，如硼源、磷源等，對硅片上的摻雜窗口進行擴散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。這是一種恒定表面源的擴散過程。

再分布是利用預淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴散的過程。通常再分布的時間較長，通過再分布，可以在硅襯底上形成一定的雜質(zhì)分布和結(jié)深。再分布是限定表面源擴散過程。