對于表面粗糙度較大的硅片，因為有限的彈性變形會使界面產(chǎn)生空洞，甚至兩個硅片鍵合失敗，因此，鍵合對硅片的表面平整度有一定的要求。許多文獻已經(jīng)對室溫鍵合晶片表面形貌及其接觸機理進行了研究。maszara^[9]考慮了表面形貌對接觸點局域應力的影響。tong^[12]給出了室溫下晶片接觸界面縫隙封閉的條件。yu^[13]分析了接觸表面的三維彈性應力場, 給出了發(fā)生室溫鍵合的平整度條件. gui^[14]假設表面起伏具有高斯分布幾率, 給出了估計實際接觸面積和發(fā)生室溫鍵合所需平整度條件的理論模型。韓偉華^[11]根據(jù)薄板彈性力學，給出了推導接觸硅片表面縫隙封閉臨界條件的簡單過程。

對于表面粗糙度較大的硅片，因為有限的彈性變形會使界面產(chǎn)生空洞，甚至兩個硅片鍵合失敗，因此，鍵合對硅片的表面平整度有一定的要求。許多文獻已經(jīng)對室溫鍵合晶片表面形貌及其接觸機理進行了研究。maszara^[9]考慮了表面形貌對接觸點局域應力的影響。tong^[12]給出了室溫下晶片接觸界面縫隙封閉的條件。yu^[13]分析了接觸表面的三維彈性應力場, 給出了發(fā)生室溫鍵合的平整度條件. gui^[14]假設表面起伏具有高斯分布幾率, 給出了估計實際接觸面積和發(fā)生室溫鍵合所需平整度條件的理論模型。韓偉華^[11]根據(jù)薄板彈性力學，給出了推導接觸硅片表面縫隙封閉臨界條件的簡單過程。