如果硅片鍵合工藝不是在超凈環(huán)境中進(jìn)行的，則硅片表面會(huì)被塵埃、硅或硅的氧化物顆粒等沾污，沾污的顆粒是鍵合硅片產(chǎn)生空洞的主要根源之一。在室溫預(yù)鍵合過(guò)程中，在鍵合硅片的表面，硅片圍繞顆粒發(fā)生變形，留下圓形的未鍵合區(qū)或空洞，如圖2.6所示。根據(jù)顆粒尺寸的大小，又分兩種情況討論。

（1）：如圖2.6(a)的情況，顆粒尺寸（半徑h或高度h=2h）遠(yuǎn)大于硅片的厚度t_w（h<<t_w），并且未鍵合區(qū)半徑r大于硅片的厚度t_w（2t_w<r）。另外，假設(shè)顆粒是剛性的，利用薄板的彈性小位移變形理論得出未鍵合區(qū)半徑r的近似表達(dá)式^{[15, 16]}

如果硅片鍵合工藝不是在超凈環(huán)境中進(jìn)行的，則硅片表面會(huì)被塵埃、硅或硅的氧化物顆粒等沾污，沾污的顆粒是鍵合硅片產(chǎn)生空洞的主要根源之一。在室溫預(yù)鍵合過(guò)程中，在鍵合硅片的表面，硅片圍繞顆粒發(fā)生變形，留下圓形的未鍵合區(qū)或空洞，如圖2.6所示。根據(jù)顆粒尺寸的大小，又分兩種情況討論。

（1）：如圖2.6(a)的情況，顆粒尺寸（半徑h或高度h=2h）遠(yuǎn)大于硅片的厚度t_w（h<<t_w），并且未鍵合區(qū)半徑r大于硅片的厚度t_w（2t_w<r）。另外，假設(shè)顆粒是剛性的，利用薄板的彈性小位移變形理論得出未鍵合區(qū)半徑r的近似表達(dá)式^{[15, 16]}