水平強(qiáng)制熱風(fēng)對流焊設(shè)備
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):427
強(qiáng)制熱風(fēng)對流是smt再流焊工藝的最佳選擇,其具有一些與物理性質(zhì)密切相關(guān)的紅外及其他方法不同的特點(diǎn),又因無鉛焊料加速推廣應(yīng)用,使得強(qiáng)制熱風(fēng)對流焊接工藝更引起人們關(guān)注。比如,安裝在pcb上的各種器件有不同的輻射率,使得紅外加熱技術(shù)在許多場合不能使用。眾知,紅外(ir)輻射能量是直接傳播,當(dāng)一個(gè)體積小,薄形的器件緊靠大尺寸,高的器件就會(huì)有蔭影,產(chǎn)生不均勻輻射。然而現(xiàn)有的強(qiáng)制熱風(fēng)對流焊爐仍存在許多明顯的加熱溫度不一致性。
2.現(xiàn)有強(qiáng)制熱風(fēng)對流爐性能的加熱溫度不一致性
加熱溫度的不一致性。強(qiáng)制熱風(fēng)對流爐與紅外加熱爐相比,具有一個(gè)明顯的優(yōu)點(diǎn)是減少印制板平面的加熱溫度差。即使是對流爐,爐道爐壁的自然冷卻作用,爐道中央的溫度要比周圍的爐壁高。由此工藝工程師在設(shè)置再流工藝參數(shù)時(shí),不得不考慮要有足夠的熱量再流印制板邊沿安裝的器件,導(dǎo)致接近中央部位溫度敏感器件的損壞或過熱。
強(qiáng)制熱風(fēng)對流是smt再流焊工藝的最佳選擇,其具有一些與物理性質(zhì)密切相關(guān)的紅外及其他方法不同的特點(diǎn),又因無鉛焊料加速推廣應(yīng)用,使得強(qiáng)制熱風(fēng)對流焊接工藝更引起人們關(guān)注。比如,安裝在pcb上的各種器件有不同的輻射率,使得紅外加熱技術(shù)在許多場合不能使用。眾知,紅外(ir)輻射能量是直接傳播,當(dāng)一個(gè)體積小,薄形的器件緊靠大尺寸,高的器件就會(huì)有蔭影,產(chǎn)生不均勻輻射。然而現(xiàn)有的強(qiáng)制熱風(fēng)對流焊爐仍存在許多明顯的加熱溫度不一致性。
2.現(xiàn)有強(qiáng)制熱風(fēng)對流爐性能的加熱溫度不一致性
加熱溫度的不一致性。強(qiáng)制熱風(fēng)對流爐與紅外加熱爐相比,具有一個(gè)明顯的優(yōu)點(diǎn)是減少印制板平面的加熱溫度差。即使是對流爐,爐道爐壁的自然冷卻作用,爐道中央的溫度要比周圍的爐壁高。由此工藝工程師在設(shè)置再流工藝參數(shù)時(shí),不得不考慮要有足夠的熱量再流印制板邊沿安裝的器件,導(dǎo)致接近中央部位溫度敏感器件的損壞或過熱。
熱門點(diǎn)擊
- 弱電系統(tǒng)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)(部分)
- MOS晶的閾值電壓VT
- 交通違章視頻查詢系統(tǒng)
- MOS晶體管的襯底偏置效應(yīng)
- 智能剝離技術(shù)(Smart-cut)
- MOSFET的結(jié)構(gòu)及基本工作原理
- 按比例縮小理論
- CMOS反相器傳輸特性與工作區(qū)劃分
- MOS晶體管的跨導(dǎo)gm
- 集成NPN晶體管的beta值
推薦技術(shù)資料
- 羅盤誤差及補(bǔ)償
- 造成羅盤誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究