浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 其它綜合

IR推出溝道型HEXFET功率MOSFET系列

發(fā)布時(shí)間:2008/11/5 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):439

  國(guó)際整流器公司 (international rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)ir) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (rds (on)) 的溝道型hexfet功率mosfet系列。這些采用to-247封裝的mosfet適用于同步整流、動(dòng)態(tài)oring及包括高功率dc馬達(dá)、dc-ac轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)工具等工業(yè)應(yīng)用。

  新mosfet的通態(tài)電阻 (rds (on)) 能效比同類(lèi)產(chǎn)品高出達(dá)50%,無(wú)需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝,有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外,低rds (on) 可降低導(dǎo)通損耗,并提升系統(tǒng)效率。

  ir亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“這個(gè)系列的卓越rds (on) 額定值,可讓設(shè)計(jì)人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中,往往因散熱需要的大而昂貴的isotop或小型bloc封裝,使系統(tǒng)成本降低50%。”

  全新n溝道m(xù)osfet系列可提供40v至200v電壓,也符合工業(yè)級(jí)及msl1要求。新mosfet均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (rohs) 指令。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)



  國(guó)際整流器公司 (international rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)ir) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (rds (on)) 的溝道型hexfet功率mosfet系列。這些采用to-247封裝的mosfet適用于同步整流、動(dòng)態(tài)oring及包括高功率dc馬達(dá)、dc-ac轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)工具等工業(yè)應(yīng)用。

  新mosfet的通態(tài)電阻 (rds (on)) 能效比同類(lèi)產(chǎn)品高出達(dá)50%,無(wú)需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝,有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外,低rds (on) 可降低導(dǎo)通損耗,并提升系統(tǒng)效率。

  ir亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“這個(gè)系列的卓越rds (on) 額定值,可讓設(shè)計(jì)人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中,往往因散熱需要的大而昂貴的isotop或小型bloc封裝,使系統(tǒng)成本降低50%。”

  全新n溝道m(xù)osfet系列可提供40v至200v電壓,也符合工業(yè)級(jí)及msl1要求。新mosfet均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (rohs) 指令。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)



相關(guān)IC型號(hào)

熱門(mén)點(diǎn)擊

 

推薦技術(shù)資料

羅盤(pán)誤差及補(bǔ)償
    造成羅盤(pán)誤差的主要因素有傳感器誤差、其他磁材料干擾等。... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號(hào)-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!