在設(shè)計(jì)時(shí)，對于輸入、輸出端口，必須遵循KA3843一定的ESD規(guī)則。例如，在靠近柵的漏端容易產(chǎn)生ESD功率耗散。在ESD發(fā)生時(shí)，這一區(qū)域變成一個(gè)熱源，并且可以擴(kuò)散到接觸孔。如果接觸孔到結(jié)的距離不是足夠大，接觸孔將會(huì)出現(xiàn)尖峰( spi-king)。輸出NMOS晶體管的設(shè)計(jì)將遵循以下規(guī)則：
    ①在漏端，N+結(jié)邊緣到到接觸孔的距離(A)應(yīng)該大于5ym。
    ②在漏端的接觸孔下面加入N阱，由于N阱的結(jié)深比N+結(jié)深，所以避免了從接觸孔到襯底的尖鋒( spiking)。
    附加掩膜
    在通常CMOS工藝中，淀積完P(guān)oly后進(jìn)行LDD注入，在LDD注入之后生長Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再進(jìn)行S、D注入，由于Spacer的阻擋作用，形成了LDD結(jié)構(gòu)。LDD結(jié)構(gòu)雖然改進(jìn)了熱載流子效應(yīng)，但對提高抗ESD能力是非常不利的。

    加入ESD版可以改進(jìn)N管的抗ESD能力。其具體做法是在LDD工藝之后加一層ESD注入以提高原LDD區(qū)域的濃度，形成HDD，之后再生長Spacer，生長S、D。