ESD失效分析
發(fā)布時(shí)間:2012/4/22 17:04:44 訪問次數(shù):1788
ESD失效可能是永久性的，也可能是潛在的。永久性的ESD失效UC3842與由于硅中的局部發(fā)熱引起的材料損壞有關(guān)，可能是因?yàn)榻饘倩ミB失效，也可能是由于CMOS柵介質(zhì)失效。潛在的ESD失效引起電路性能的退化，影響壽命，詳細(xì)的機(jī)理正在
進(jìn)行研究。ESD失效分析對(duì)于設(shè)計(jì)者改進(jìn)ESD失效問題，對(duì)于找出ESD失效區(qū)域，最終來改進(jìn)ESD設(shè)計(jì)來說是非常重要的。失效分析工具包括破壞性的和非破壞性的。簡(jiǎn)單的失效分析工具包括光學(xué)顯微鏡和SEM，液體晶體分析可以用于精確定位ESD失效點(diǎn)。其方法是將芯片放置在熱夾具(hot chuck)上，上面覆蓋液體晶體，然后對(duì)芯片加電，并觀察它。通過繪制發(fā)射圖像，圖片發(fā)射顯微鏡能夠提供加電芯片pin-point級(jí)的精確的失效分析。對(duì)芯片進(jìn)行處理后再觀察SEM圖像，就可以觀察到詳細(xì)的層一層ESD損壞。通過對(duì)不同工藝、不同ESD結(jié)構(gòu)的失效研究，可以發(fā)現(xiàn)許多獨(dú)特的ESD失效機(jī)埋。其中包括在NMOS漏擴(kuò)散區(qū)域典型的ESD失效；在NMOS柵氧的簡(jiǎn)單的ESD失效；由于多指型結(jié)構(gòu)的非均勻開啟，在NMOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)指型中出現(xiàn)ESD損傷；在門陣列中的接觸開裂型融化損壞；可以采用光發(fā)射顯微鏡技術(shù)對(duì)ggNMOS ESD結(jié)構(gòu)的柵進(jìn)行典型的ESD失效研究。
進(jìn)行研究。ESD失效分析對(duì)于設(shè)計(jì)者改進(jìn)ESD失效問題，對(duì)于找出ESD失效區(qū)域，最終來改進(jìn)ESD設(shè)計(jì)來說是非常重要的。失效分析工具包括破壞性的和非破壞性的。簡(jiǎn)單的失效分析工具包括光學(xué)顯微鏡和SEM，液體晶體分析可以用于精確定位ESD失效點(diǎn)。其方法是將芯片放置在熱夾具(hot chuck)上，上面覆蓋液體晶體，然后對(duì)芯片加電，并觀察它。通過繪制發(fā)射圖像，圖片發(fā)射顯微鏡能夠提供加電芯片pin-point級(jí)的精確的失效分析。對(duì)芯片進(jìn)行處理后再觀察SEM圖像，就可以觀察到詳細(xì)的層一層ESD損壞。通過對(duì)不同工藝、不同ESD結(jié)構(gòu)的失效研究，可以發(fā)現(xiàn)許多獨(dú)特的ESD失效機(jī)埋。其中包括在NMOS漏擴(kuò)散區(qū)域典型的ESD失效；在NMOS柵氧的簡(jiǎn)單的ESD失效；由于多指型結(jié)構(gòu)的非均勻開啟，在NMOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)指型中出現(xiàn)ESD損傷；在門陣列中的接觸開裂型融化損壞；可以采用光發(fā)射顯微鏡技術(shù)對(duì)ggNMOS ESD結(jié)構(gòu)的柵進(jìn)行典型的ESD失效研究。
ESD失效可能是永久性的，也可能是潛在的。永久性的ESD失效UC3842與由于硅中的局部發(fā)熱引起的材料損壞有關(guān)，可能是因?yàn)榻饘倩ミB失效，也可能是由于CMOS柵介質(zhì)失效。潛在的ESD失效引起電路性能的退化，影響壽命，詳細(xì)的機(jī)理正在
進(jìn)行研究。ESD失效分析對(duì)于設(shè)計(jì)者改進(jìn)ESD失效問題，對(duì)于找出ESD失效區(qū)域，最終來改進(jìn)ESD設(shè)計(jì)來說是非常重要的。失效分析工具包括破壞性的和非破壞性的。簡(jiǎn)單的失效分析工具包括光學(xué)顯微鏡和SEM，液體晶體分析可以用于精確定位ESD失效點(diǎn)。其方法是將芯片放置在熱夾具(hot chuck)上，上面覆蓋液體晶體，然后對(duì)芯片加電，并觀察它。通過繪制發(fā)射圖像，圖片發(fā)射顯微鏡能夠提供加電芯片pin-point級(jí)的精確的失效分析。對(duì)芯片進(jìn)行處理后再觀察SEM圖像，就可以觀察到詳細(xì)的層一層ESD損壞。通過對(duì)不同工藝、不同ESD結(jié)構(gòu)的失效研究，可以發(fā)現(xiàn)許多獨(dú)特的ESD失效機(jī)埋。其中包括在NMOS漏擴(kuò)散區(qū)域典型的ESD失效；在NMOS柵氧的簡(jiǎn)單的ESD失效；由于多指型結(jié)構(gòu)的非均勻開啟，在NMOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)指型中出現(xiàn)ESD損傷；在門陣列中的接觸開裂型融化損壞；可以采用光發(fā)射顯微鏡技術(shù)對(duì)ggNMOS ESD結(jié)構(gòu)的柵進(jìn)行典型的ESD失效研究。
進(jìn)行研究。ESD失效分析對(duì)于設(shè)計(jì)者改進(jìn)ESD失效問題，對(duì)于找出ESD失效區(qū)域，最終來改進(jìn)ESD設(shè)計(jì)來說是非常重要的。失效分析工具包括破壞性的和非破壞性的。簡(jiǎn)單的失效分析工具包括光學(xué)顯微鏡和SEM，液體晶體分析可以用于精確定位ESD失效點(diǎn)。其方法是將芯片放置在熱夾具(hot chuck)上，上面覆蓋液體晶體，然后對(duì)芯片加電，并觀察它。通過繪制發(fā)射圖像，圖片發(fā)射顯微鏡能夠提供加電芯片pin-point級(jí)的精確的失效分析。對(duì)芯片進(jìn)行處理后再觀察SEM圖像，就可以觀察到詳細(xì)的層一層ESD損壞。通過對(duì)不同工藝、不同ESD結(jié)構(gòu)的失效研究，可以發(fā)現(xiàn)許多獨(dú)特的ESD失效機(jī)埋。其中包括在NMOS漏擴(kuò)散區(qū)域典型的ESD失效；在NMOS柵氧的簡(jiǎn)單的ESD失效；由于多指型結(jié)構(gòu)的非均勻開啟，在NMOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)指型中出現(xiàn)ESD損傷；在門陣列中的接觸開裂型融化損壞；可以采用光發(fā)射顯微鏡技術(shù)對(duì)ggNMOS ESD結(jié)構(gòu)的柵進(jìn)行典型的ESD失效研究。
上一篇：版圖和工藝的考慮
熱門點(diǎn)擊
- 2.4GHz天線設(shè)計(jì)
- 典型的層次型拓?fù)淇刂品椒?/a>
- CMOS中P阱和N阱抗閉鎖能力的比較
- 輸入保護(hù)電路
- 多數(shù)載流子的保護(hù)環(huán)
- 以太網(wǎng)接口電路設(shè)計(jì)
- 傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)
- TinyOS操作系統(tǒng)
- nesC語(yǔ)言基礎(chǔ)
- 采用重?fù)诫s襯底上外延生長(zhǎng)輕摻雜層
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
