電源和地線要通暢，要能承受足夠的電流容量
發(fā)布時間:2012/4/23 19:48:18 訪問次數(shù):857
為了保證電源和地線的足HX6810-A05MLAG夠通暢，要有足夠的寬度，以承受足夠的電流容量。此外，電源和地線的布局還要注意如下問題：
①襯底為N型材料時，芯片四周要盡可能用V DD包圍起來。若為P型襯底，則四周要用V ss包圍起來。VDD和Vss的寬度約為20弘m。管芯四周用固定電位包圍，以抗外界的干擾信號。
②多加電源和地的接觸孔，并盡可能加大接觸面積，以降低襯底電阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要盡可能安排得離阱近一些，而接Vss的孔要盡可能安排在阱的所有邊緣上，以形成多數(shù)截流子的保護環(huán)。同時，盡量使V DD和V ss的接觸孔的長邊相互平行。
①襯底為N型材料時，芯片四周要盡可能用V DD包圍起來。若為P型襯底，則四周要用V ss包圍起來。VDD和Vss的寬度約為20弘m。管芯四周用固定電位包圍，以抗外界的干擾信號。
②多加電源和地的接觸孔，并盡可能加大接觸面積，以降低襯底電阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要盡可能安排得離阱近一些，而接Vss的孔要盡可能安排在阱的所有邊緣上，以形成多數(shù)截流子的保護環(huán)。同時，盡量使V DD和V ss的接觸孔的長邊相互平行。
為了保證電源和地線的足HX6810-A05MLAG夠通暢，要有足夠的寬度，以承受足夠的電流容量。此外，電源和地線的布局還要注意如下問題：
①襯底為N型材料時，芯片四周要盡可能用V DD包圍起來。若為P型襯底，則四周要用V ss包圍起來。VDD和Vss的寬度約為20弘m。管芯四周用固定電位包圍，以抗外界的干擾信號。
②多加電源和地的接觸孔，并盡可能加大接觸面積，以降低襯底電阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要盡可能安排得離阱近一些，而接Vss的孔要盡可能安排在阱的所有邊緣上，以形成多數(shù)截流子的保護環(huán)。同時，盡量使V DD和V ss的接觸孔的長邊相互平行。
①襯底為N型材料時，芯片四周要盡可能用V DD包圍起來。若為P型襯底，則四周要用V ss包圍起來。VDD和Vss的寬度約為20弘m。管芯四周用固定電位包圍，以抗外界的干擾信號。
②多加電源和地的接觸孔，并盡可能加大接觸面積，以降低襯底電阻。
③P阱CMOS中接VDD的孔要盡可能安排得離阱近一些，而接Vss的孔要盡可能安排在阱的所有邊緣上，以形成多數(shù)截流子的保護環(huán)。同時，盡量使V DD和V ss的接觸孔的長邊相互平行。
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相關(guān)技術(shù)資料- 4-23電源和地線要通暢，要能承受足夠的電流容量
- 相關(guān)IC型號
- HX6810-A05MLAG
- 暫無最新型號
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