金屬半導體場效應管(MESFET)
發(fā)布時間:2012/4/26 19:28:42 訪問次數(shù):1097
MESFET與JFET的主要區(qū)別是用金屬STM32F103R6T6A半導體接觸形成的肖特基勢壘代替PN結作為柵結，形成單向導電的整流接觸。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化合物半導體材料制成。MESFET的基本結構首先是在半絕緣襯底上進行選擇性離子注入形成有源層，再在其表面制作源和漏的兩個歐姆電極，并在兩者之間制作勢壘肖特基的柵電極，形成三端結構。柵耗盡層下面的有源層部分稱為溝道。在GaAs MESFET中，由于電子比空穴的遷移率大，因而通常用以電子為載流子的N型作為有源層。N型有源層由向半絕緣的GaAs襯底注入Se+獲得，注入層厚大約0.1弘m；也可以是薄的N型GaAs外延層。作為高阻抗的襯底GaAs材料，其阻抗高達lOgQ．cm，因而大大減少了寄生電容且工藝簡單，加土電子遷移率高這一優(yōu)點，使得這種器件的傳輸時間短，反應速度快，廣泛應用于微波和超高速領域。
MESFET與JFET的主要區(qū)別是用金屬STM32F103R6T6A半導體接觸形成的肖特基勢壘代替PN結作為柵結，形成單向導電的整流接觸。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化合物半導體材料制成。MESFET的基本結構首先是在半絕緣襯底上進行選擇性離子注入形成有源層，再在其表面制作源和漏的兩個歐姆電極，并在兩者之間制作勢壘肖特基的柵電極，形成三端結構。柵耗盡層下面的有源層部分稱為溝道。在GaAs MESFET中，由于電子比空穴的遷移率大，因而通常用以電子為載流子的N型作為有源層。N型有源層由向半絕緣的GaAs襯底注入Se+獲得，注入層厚大約0.1弘m；也可以是薄的N型GaAs外延層。作為高阻抗的襯底GaAs材料，其阻抗高達lOgQ．cm，因而大大減少了寄生電容且工藝簡單，加土電子遷移率高這一優(yōu)點，使得這種器件的傳輸時間短，反應速度快，廣泛應用于微波和超高速領域。
上一篇：場效應晶體管(FET)
相關技術資料- 4-26金屬半導體場效應管(MESFET)
熱門點擊
- 2.4GHz天線設計
- 典型的層次型拓撲控制方法
- CMOS中P阱和N阱抗閉鎖能力的比較
- 輸入保護電路
- 多數(shù)載流子的保護環(huán)
- 以太網(wǎng)接口電路設計
- 傳感器節(jié)點設計
- TinyOS操作系統(tǒng)
- nesC語言基礎
- 采用重摻雜襯底上外延生長輕摻雜層
推薦技術資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細]
公網(wǎng)安備44030402000607
