采用Al-Cu(4%)合金膜，175℃，J=4×l06 A．cni-2時(shí)，其MTF是UC3845純鋁70倍。原理是因?yàn)镃u超過固溶度時(shí)，Cu原子以CuCl：形成在晶界處沉積，或占據(jù)晶界空位，阻塞了Al離子沿晶界遷徙，從而提高了MTF。

          
    Al-Cu-Si（含Cu 2%，Si l%）合金膜不僅具有Al~Cu，Al-Si合金膜各自的優(yōu)點(diǎn)，而且由于兩種溶質(zhì)原子(Cu與Si)的相互作用，在晶界處形成穩(wěn)定合作物，相抑制在晶界間遷徙，因此它具有更高的抗電遷移能力。表4.6介紹了金屬化條MTF與溫度的關(guān)系，從表4.6可看出，Al-Cu-Si的抗電遷移能力最佳。表4.6金屬億條MTF與溫度的關(guān)系。