圖12.25是將N溝JFET用在TPS51200DRCR輸入部分的差動(dòng)放大電路上的OP放大器電路。
    由于FET的流入柵極的電流是非常小的，所以用在OP放大器的輸入電路中，則能夠提高OP放大器本身的輸入阻抗。這種OP放大器可以用在取樣保持電路和將輸入阻抗非常高的傳感器信號(hào)進(jìn)行放大的電路上。
    圖12.25電路儀僅是將圖12.9所示的電路的Tri與Tr2用N溝JFET代替后的電路。然而，JFET與晶體管相比較，則器件本的增益低，所以相位補(bǔ)償電路的常數(shù)稍有不同(在圖12.25中，R4 =470fl)。
    要注意選擇JFET漏飽和電流的檔次。JFET的IDSS是漏源之間流動(dòng)的最大電流（不破壞器件的限界，在JFET中不能流過IDSS以上的電流），所以必須選擇比差動(dòng)放大電路各自電流的設(shè)定值要大的IDSS的器件（或者必須將差動(dòng)放大電路中流動(dòng)的電流設(shè)定在比所選擇器件的IDSS要小的值）。

                
    在圖12.25中，由于差動(dòng)放大電路各自的電流設(shè)定在ImA，所以Tri與Tr2的IDSS必須在ImA以上。在這里，選擇通用N溝JFET 2SK330（東芝）（關(guān)于2SK330的特性請參考第10章的表10.1）。
    由于2SK330的IDSS最低是1.2mA，所以在該電路中，無論使用哪個(gè)檔次都沒有關(guān)系。但是，Tr，與Tr2必須作為差動(dòng)放大的對管進(jìn)行工作。為了器件特性盡可能的一致，要使用同一檔次IDSS的器件。
    還有，JFET的柵一源間電壓V(。s(相當(dāng)于雙極晶體管的VBE)隨IDS。有相當(dāng)大的分散性。這里使用的2SK330，IDSS有1.2m～14mA的分散性，因此VG。的1～3V。
    這樣，F(xiàn)ET是器件之間分散性大的器件，所以，如果連IDSS的檔次都不一致，則差動(dòng)放大電路肯定不工作。
    進(jìn)而，將JFET使用在OP放大器電路的初級(jí)上，則由于器件之間的分散性所產(chǎn)生的影響也變大，故而有輸入補(bǔ)償電壓變大的缺點(diǎn)。
    在該電路中，想將輸入補(bǔ)償電壓變小時(shí)，在Tr1、Tr2上使用單片式雙管FET[例如2SK389（東芝）]就可以。單片式雙管FET，由于是在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上緊挨著形成FET，所以器件之間的各種特性差別是非常之小的。