下面設(shè)定工作點(diǎn)。與雙極晶體管相同，F(xiàn)ET的漏TMS320DM6437ZWT6極電流ID和柵極一漏極間電壓VGD等值對(duì)于gM、噪聲特性、頻率特性等都有重要的影響。
    圖3.5示出了2SK184的各種特性�？梢钥闯鲇捎贗D、VGD的不同，各種特性有很大的差異。這種情況與雙極晶體管相同。
    但是這里設(shè)計(jì)的電路對(duì)于噪聲、頻率特性等沒有作具體的規(guī)定，所以并不介意工作點(diǎn)的設(shè)定。
    這就是說(shuō)，漏極電流ID是幾毫安都可以。2SK184是JFET器件，ID最大不超過飽和電流IDSS。所以只要小于IDSS，不論幾毫安都可以。 這里使用的2SK184GR的IDSS是2.6～6.5mAID處于IDSS范圍的下限2.6mA以下。為方便起見，取ID=lmA。
    應(yīng)該注意當(dāng)設(shè)定值太接近IDSS時(shí)，信號(hào)輸入后由于IDSS的關(guān)系，ID電流的增加無(wú)法超過這個(gè)值，輸出波形就會(huì)被限幅。
    順便指出，這種小信號(hào)用FET的漏極電流一般在0.ImA至數(shù)毫安的范圍。

              
    必須注意的是，作為工作點(diǎn)要決定的不是V GS面是ID。這是因?yàn)槿鐖D3.5(a)、(b)所示，F(xiàn)ET的重要特性不是因VGS而是隨ID的值變化的。
    VGS的值在設(shè)計(jì)柵偏壓電路時(shí)是必要的。不過如果設(shè)定好ID值，從傳輸特性曲線中必然能夠求得VGS。