就是說(shuō)，這個(gè)電路通過(guò)MSP430F2011IPWR自身的輸出（Tri的源極），總能夠保持自身工作點(diǎn)一定，從而提高電路的特性。
    如果能夠保持源極接地的FET漏極一源極間電壓為一定值，使電路的工作點(diǎn)固定，那么當(dāng)輸入信號(hào)變大時(shí)的頻率特性和輸入輸出間的線性關(guān)系也能夠得到改善，使得一直到高頻范圍都能夠保持電路的工作穩(wěn)定。所以，柵一陰放大連接自舉
電路經(jīng)常應(yīng)用在高頻放大電路或者OP放大器的內(nèi)部。
    與柵一陰放大連接電路相比，由于少了柵極接地FET的柵極偏置電路，所以電路的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單了（只是把Tr2的柵極連接在Tri的源極上）。所使用的FET選擇IDSS高于設(shè)定的漏極電流的器件（Tri、Tr2都是這樣）。申Tri、Tr2使用相同的FET，只要滿足IDSS的條件，改變這兩個(gè)FET的型號(hào)也完全沒(méi)有問(wèn)題。
    如圖6.17所示，使用晶體管的基極接地也能夠?qū)⒃礃O接地柵一陰放大連接自舉化。但是，由于晶體管VBE的極性與JFET的VGS極性相反（如果把圖6.17中Tr2的基極直接與Tri的源極連接，將不會(huì)產(chǎn)生Tri漏極一源極間的電壓），還必須保證有基極電流流動(dòng)等原因，所以電路稍微復(fù)雜些。

              
    在柵極接地一側(cè)也可以使用MOSFET實(shí)現(xiàn)柵一陰放大連接自舉化。不過(guò)必須注意VGS的極性也可能與JFET相反（必須慎重選擇工作點(diǎn)，或者作成如圖6.17那樣的電路）。