開(kāi)關(guān)晶體管的選擇
發(fā)布時(shí)間:2012/5/26 14:53:37 訪問(wèn)次數(shù):1383
由于負(fù)載電流(集電極電流)的指標(biāo)是5mA,所以晶體TMS320DM368ZCE管集電極電流k的最大額定值必須大于5mA。當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),連接負(fù)載的電源的電壓(這里是+5V)加在集電極一發(fā)射極之間和集電極一基極之間。因此應(yīng)選擇集電極一發(fā)射極間和集電極一基極間電壓最大額定值VCEO,VCBO大于連接負(fù)載的電源電壓的晶體管。
這里按照VCE0>+5V,VCBO>+5V,Ic >5mA的條件,選擇2SC2458(東芝)。表8.1是2SC2458器件的特性。
順便指出,使用PNP晶體管時(shí)的電路就變成圖8.7那樣。當(dāng)然使用時(shí)并不介意選擇NPN晶體管還是PNP晶體管。
圖8.5的電路已經(jīng)在集電極與+5V電源間連接了負(fù)載(RL =lkQ),所以是根據(jù)這個(gè)電源電壓和負(fù)載電流來(lái)決定晶體管的。在開(kāi)路集電極的場(chǎng)合選擇的方法也完全相同。由外部負(fù)載連接的電源電壓和從輸出端(集電極)吸入或流出的最大負(fù)載電流共同選擇晶體管。
由于負(fù)載電流(集電極電流)的指標(biāo)是5mA,所以晶體TMS320DM368ZCE管集電極電流k的最大額定值必須大于5mA。當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),連接負(fù)載的電源的電壓(這里是+5V)加在集電極一發(fā)射極之間和集電極一基極之間。因此應(yīng)選擇集電極一發(fā)射極間和集電極一基極間電壓最大額定值VCEO,VCBO大于連接負(fù)載的電源電壓的晶體管。
這里按照VCE0>+5V,VCBO>+5V,Ic >5mA的條件,選擇2SC2458(東芝)。表8.1是2SC2458器件的特性。
順便指出,使用PNP晶體管時(shí)的電路就變成圖8.7那樣。當(dāng)然使用時(shí)并不介意選擇NPN晶體管還是PNP晶體管。
圖8.5的電路已經(jīng)在集電極與+5V電源間連接了負(fù)載(RL =lkQ),所以是根據(jù)這個(gè)電源電壓和負(fù)載電流來(lái)決定晶體管的。在開(kāi)路集電極的場(chǎng)合選擇的方法也完全相同。由外部負(fù)載連接的電源電壓和從輸出端(集電極)吸入或流出的最大負(fù)載電流共同選擇晶體管。
熱門(mén)點(diǎn)擊
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推薦技術(shù)資料
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