單片機(jī)發(fā)展趨勢(shì)
發(fā)布時(shí)間:2014/6/2 16:47:05 訪問次數(shù):1237
單片機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)朝著多品種、多規(guī)格、高性能及多層次用戶的方向發(fā)展,表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。
1.高檔單片機(jī)性能不斷提高
首先表現(xiàn)在CPU能力不斷加強(qiáng),AD53064-03主要體現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理速度和精度方面。采用的措施有增加CPU的字長(zhǎng)、擴(kuò)充硬件、提高主頻、提高總線速度以及指令系統(tǒng)和提高效率。
其次表現(xiàn)在內(nèi)部資源增加,如存儲(chǔ)器和I/O端口。程序存儲(chǔ)器ROM容量高達(dá)幾十千字節(jié),內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM也可達(dá)到幾千字節(jié);I/O端口方面增加了A/D、D/A、PWM、LED、LCD等接口電路。
另外提高了存儲(chǔ)器的尋址范圍,目前最高可尋址幾十兆。
2.超小型、低功耗、廉價(jià)
出現(xiàn)了微巨型單片機(jī),運(yùn)算速度為1.2億次/秒、CPU字長(zhǎng)32位并可運(yùn)行64位浮點(diǎn)運(yùn)算。指令系統(tǒng)從復(fù)雜指令系統(tǒng)向精簡(jiǎn)指令系統(tǒng)過渡。單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)向多用戶、C編譯、在線實(shí)時(shí)開發(fā)方向發(fā)展。
3.制作工藝CMOS化(全盤CMOS化)
出于對(duì)低功耗的普遍要求,目前各大廣商推出的各類單片機(jī)產(chǎn)品都采用了CHMOS工藝。80C51系列單片機(jī)采用兩種半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)。一種是HMOS工藝,即高密度短溝道MOS工藝。另一種是CHMOS工藝,即互補(bǔ)金屬氧化物的HMOS工藝。CHMOS是CMOS和HMOS的結(jié)合,除保持了HMOS的高速度和高密度的特點(diǎn)之外,還具有CMOS低功耗的特點(diǎn)。例如8051的功耗為630mW,而80C51的功耗只有120mW。在便攜式、手提式或野外作業(yè)儀器設(shè)備上低功耗是非常有意義的。因此,在這些產(chǎn)品中必須使用CHMOS的單片機(jī)芯片。
單片機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)朝著多品種、多規(guī)格、高性能及多層次用戶的方向發(fā)展,表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。
1.高檔單片機(jī)性能不斷提高
首先表現(xiàn)在CPU能力不斷加強(qiáng),AD53064-03主要體現(xiàn)在數(shù)據(jù)處理速度和精度方面。采用的措施有增加CPU的字長(zhǎng)、擴(kuò)充硬件、提高主頻、提高總線速度以及指令系統(tǒng)和提高效率。
其次表現(xiàn)在內(nèi)部資源增加,如存儲(chǔ)器和I/O端口。程序存儲(chǔ)器ROM容量高達(dá)幾十千字節(jié),內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM也可達(dá)到幾千字節(jié);I/O端口方面增加了A/D、D/A、PWM、LED、LCD等接口電路。
另外提高了存儲(chǔ)器的尋址范圍,目前最高可尋址幾十兆。
2.超小型、低功耗、廉價(jià)
出現(xiàn)了微巨型單片機(jī),運(yùn)算速度為1.2億次/秒、CPU字長(zhǎng)32位并可運(yùn)行64位浮點(diǎn)運(yùn)算。指令系統(tǒng)從復(fù)雜指令系統(tǒng)向精簡(jiǎn)指令系統(tǒng)過渡。單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)向多用戶、C編譯、在線實(shí)時(shí)開發(fā)方向發(fā)展。
3.制作工藝CMOS化(全盤CMOS化)
出于對(duì)低功耗的普遍要求,目前各大廣商推出的各類單片機(jī)產(chǎn)品都采用了CHMOS工藝。80C51系列單片機(jī)采用兩種半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)。一種是HMOS工藝,即高密度短溝道MOS工藝。另一種是CHMOS工藝,即互補(bǔ)金屬氧化物的HMOS工藝。CHMOS是CMOS和HMOS的結(jié)合,除保持了HMOS的高速度和高密度的特點(diǎn)之外,還具有CMOS低功耗的特點(diǎn)。例如8051的功耗為630mW,而80C51的功耗只有120mW。在便攜式、手提式或野外作業(yè)儀器設(shè)備上低功耗是非常有意義的。因此,在這些產(chǎn)品中必須使用CHMOS的單片機(jī)芯片。
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