- 根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)E2196定義2017/12/7 20:39:58 2017/12/7 20:39:58
- 根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)E2196定義,集束型裝備由晶圓加工模塊和機(jī)械手搬運(yùn)設(shè)各組成,廣JS28F128J3D75泛應(yīng)用于集成電路生產(chǎn)線。對(duì)某些加工過(guò)程而言,晶圓滯留時(shí)間約束非常嚴(yán)格。該約束要求當(dāng)晶圓在...[全文]
- 集束型裝備加工模塊都是單晶圓加工裝備2017/12/5 20:46:30 2017/12/5 20:46:30
- 問(wèn)題描述集束型裝備加工模塊都是單晶圓加工裝備,機(jī)械手旋轉(zhuǎn)移動(dòng)以完成晶圓在加工模塊之間的搬運(yùn),NCP1207ADR2G其中一些加工模塊可能是并行和重入模塊。晶圓從裝載室...[全文]
- 檢查阻容吸收電路是否接觸不良或打火2017/12/4 21:59:54 2017/12/4 21:59:54
- 檢查保護(hù)電路,限流值SER1412-362MED是否大于過(guò)流值,限流取樣電阻是否過(guò)大。檢查阻容吸收電路是否接觸不良或打火。檢查頻率跟蹤信號(hào)回路接線是否正確,控制板上的進(jìn)線電阻是否損...[全文]
- 中頻電源控制開(kāi)關(guān)合上后,控制板上指示燈不亮2017/12/4 21:55:46 2017/12/4 21:55:46
- 故障現(xiàn)象:中頻電源控制開(kāi)關(guān)合上后,控制板上指示燈不亮。故障分析及處理:產(chǎn)生此故障的原因及處理方法如下。(1)中頻電源控制開(kāi)關(guān)損壞,用萬(wàn)用SER1412-102MED表...[全文]
- 模擬退火算法2017/12/3 20:42:03 2017/12/3 20:42:03
- 模擬退火(simu1atcdAmea1ing,sA)算法最早的思想是由N,Mc饣opOlis等人于1953年提出。1983年,s.Kirkpatrick等成功地將退火思想引入組合優(yōu)化領(lǐng)域。LPO...[全文]
- 設(shè)想硅晶體中有一個(gè)硼原子占據(jù)了硅原子的位置2017/12/2 15:45:51 2017/12/2 15:45:51
- 設(shè)想硅晶體中有一個(gè)硼原子占據(jù)了硅原子的位置。硼原子有三個(gè)價(jià)電子,當(dāng)它和N14081K0HAFPB28F近鄰的四個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵時(shí),有一個(gè)共價(jià)鍵中出現(xiàn)一個(gè)電子的空位。這個(gè)空位可以從近鄰的硅原子之...[全文]
- 標(biāo)稱(chēng)容量與允許誤差2017/12/1 22:23:02 2017/12/1 22:23:02
- 1.標(biāo)稱(chēng)容量與允許誤差SDNT1005X474J4350HTF標(biāo)稱(chēng)容量是指標(biāo)示在電容器外殼上的電容量數(shù)值。允許誤差是指標(biāo)稱(chēng)容量與實(shí)際容量之間的偏差與標(biāo)稱(chēng)容量之比的百分...[全文]
- 允許誤差2017/12/1 22:09:29 2017/12/1 22:09:29
- 電阻器的允許誤差是指電阻器的實(shí)際阻值對(duì)于標(biāo)稱(chēng)阻值的允許最大誤差范圍,它標(biāo)SDNT1005X473J4100FTF志著電阻器的阻值精度。普通電阻器的允許誤差有±5%、±10%、±⒛%等3個(gè)等級(jí)。精...[全文]
- 混臺(tái)整數(shù)規(guī)劃在集束型裝備調(diào)度中的應(yīng)用 2017/11/30 21:31:25 2017/11/30 21:31:25
- 在單集束型裝備中,MIP模型的方法具有靈活高效的特點(diǎn),調(diào)度情形改變往往只要修改少量的約束條件即可適應(yīng)新的晶圓流模式;MIP模型無(wú)須考慮避免死鎖的調(diào)度策略,FBMH1608HM600-T是否存在可...[全文]
- 分支節(jié)點(diǎn)的選擇2017/11/30 21:22:53 2017/11/30 21:22:53
- 對(duì)枚舉樹(shù)的某些節(jié)點(diǎn)必須分支決策,即凡是界限小于迄今為止所有可行解最小下界的任何節(jié)點(diǎn),都有可能作為分支的選擇對(duì)象。目前對(duì)于分支而言,主要有以下兩種方式。FBMH1608HM221-T...[全文]
- 集束型裝各Petri網(wǎng)建模過(guò)程2017/11/29 21:35:04 2017/11/29 21:35:04
- 以下根據(jù)本章參考文獻(xiàn)的成果,利用241節(jié)的有限容量Petri網(wǎng)介紹對(duì)集束型裝備的建模過(guò)程。K8P6415UQB-PI4B對(duì)機(jī)械手的建模在集束型裝備中,加工模塊PM的活...[全文]
- 通常系統(tǒng)處于穩(wěn)態(tài)階段的時(shí)間最長(zhǎng)2017/11/27 21:44:05 2017/11/27 21:44:05
- 通常系統(tǒng)處于穩(wěn)態(tài)階段的時(shí)間最長(zhǎng),且穩(wěn)態(tài)階段系統(tǒng)操作具有周期性特點(diǎn),所以穩(wěn)態(tài)階段特點(diǎn)也最能反映系統(tǒng)的特性。穩(wěn)態(tài)階段機(jī)械手操作過(guò)程包括如下。R10706NB(1)從晶圓承載室中卸載一片...[全文]
- 研究現(xiàn)狀2017/11/26 14:24:50 2017/11/26 14:24:50
- 一些文獻(xiàn)已對(duì)抓鉤調(diào)度進(jìn)行研究。本章參考A915AY-470M文獻(xiàn)[臼,68]對(duì)抓鉤調(diào)度問(wèn)題進(jìn)行綜述與分類(lèi)。本章參考文獻(xiàn)[69]較早研究抓鉤調(diào)度問(wèn)題,并采用整數(shù)規(guī)劃方法建模該問(wèn)題。本章參考文獻(xiàn)[⒛...[全文]
- 調(diào)度問(wèn)題是NP組合優(yōu)化問(wèn)題2017/11/25 19:25:43 2017/11/25 19:25:43
- 調(diào)度問(wèn)題是NP組合優(yōu)化問(wèn)題,研究方法主要可分為兩類(lèi):精確方法和近似方法。精TBPS1R103K440H5Q確方法主要包括分支定界法及數(shù)學(xué)規(guī)劃法,它雖然能夠求得全局最優(yōu)解,但只能針對(duì)較小規(guī)模的求解...[全文]
- 多種類(lèi)型晶圓混合加工2017/11/25 19:14:01 2017/11/25 19:14:01
- 在一般情況下,集束型裝備內(nèi)流動(dòng)的產(chǎn)品中,生產(chǎn)卡占在制品的比例最大,工程卡占在制品的比例較小。TBPS0R104K455H5Q但工程卡對(duì)工藝流程、加工進(jìn)度或技術(shù)參數(shù)控制等方面有特殊要求,因此對(duì)集束...[全文]
- 中頻電源在小功率運(yùn)行時(shí)無(wú)異常2017/11/23 21:25:21 2017/11/23 21:25:21
- 感應(yīng)線圈松動(dòng),中頻電M082AB1源在小功率運(yùn)行時(shí)無(wú)異常,但當(dāng)功率增加時(shí)由于電流增加,電磁力增加,此時(shí)感應(yīng)線圈匝間將互相吸動(dòng),或加料時(shí)振動(dòng)等都可能造成感應(yīng)線圈匝間瞬時(shí)短路。這時(shí)由于運(yùn)行參數(shù)突然改...[全文]
- 產(chǎn)生此故障的原因多數(shù)是中頻電源負(fù)載有故障2017/11/23 21:10:17 2017/11/23 21:10:17
- 故障現(xiàn)象:中頻電源有時(shí)不好啟動(dòng),啟動(dòng)成功后頻率比原來(lái)高許多。M02LT521R270J故障分析及處理:產(chǎn)生此故障的原因多數(shù)是中頻電源負(fù)載有故障,其故障原因如下。檢查補(bǔ)...[全文]
- 故障模型 2017/11/21 21:49:25 2017/11/21 21:49:25
- 做儲(chǔ)存器故障分析時(shí)會(huì)將失效位元標(biāo)記在儲(chǔ)存陣列上,稱(chēng)為位元圖(BitMap)。TDA10023HT儲(chǔ)存器故障模型以及故障原囚包含以下數(shù)種。單位元(singlebit,s...[全文]
- 基本圖表在良率分析中的應(yīng)用2017/11/20 21:01:23 2017/11/20 21:01:23
- 一張直觀的圖表,勝過(guò)千言萬(wàn)語(yǔ):下面介紹一些常見(jiàn)的圖表方法應(yīng)用。TL5001CDRPareto禾口stackbarchartPareto是把問(wèn)題按照嚴(yán)重性(yiCldl...[全文]
- 用于測(cè)試的探陣卡2017/11/20 20:03:53 2017/11/20 20:03:53
- 用于測(cè)試的探陣卡(pr。becard)通常有數(shù)十甚至數(shù)百個(gè)針頭(pin),一次接觸(touchdown)可以同時(shí)測(cè)試多個(gè)DUT。但即使這樣,每wafer測(cè)試需要探陣卡和wafer表面接觸次數(shù)也可...[全文]
公網(wǎng)安備44030402000607
