用于測(cè)試的探陣卡(pr。be card)通常有數(shù)十甚至數(shù)百個(gè)針頭(pin),一次接觸(touchdown)可以同時(shí)測(cè)試多個(gè)DUT。但即使這樣,每wafer測(cè)試需要探陣卡和wafer表面接觸次數(shù)也可能高達(dá)數(shù)萬(wàn)次。SGM2019-1.5YN5G對(duì)于ppb量級(jí)的實(shí)際I藝失效率,99%的touch down yield仍然誤報(bào)率過(guò)高,必須有可靠且實(shí)時(shí)的錯(cuò)誤檢測(cè)手段、簡(jiǎn)單快速的錯(cuò)誤修復(fù)手段、可行的錯(cuò)誤過(guò)濾手段,來(lái)保證測(cè)試的最終質(zhì)量.

   由于shordoop試驗(yàn),對(duì)于在不同材質(zhì)(N iSi,Al,Cu等)上的probing是很大的挑戰(zhàn),特別是后段的Ultra low慮⒒lm的易碎性,導(dǎo)致測(cè)試難度大大上升.種種岡素要求測(cè)試必須有足夠的靈活性和⒈藝兼容性c此外,測(cè)試必須能適應(yīng)產(chǎn)品周期的各個(gè)環(huán)節(jié),要求設(shè)各可靠性好故障率低,能適應(yīng)每月萬(wàn)片量級(jí)的測(cè)試,同時(shí)維護(hù)簡(jiǎn)單・維護(hù)成本低。

   圖17,22表示在大量接觸之后,常規(guī)測(cè)試方法probing yield的急劇下降,而先進(jìn)制程的yield leaming要求在百萬(wàn)次接觸后probing Ⅱeld仍然大干99.95%。