當(dāng)集成電路的M(B器件,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的下作,器件的電學(xué)性能會(huì)逐步退化。如閾值U2008B-MY電壓(V|b)漂移.跨導(dǎo)(Gm)降低,飽和電流(Jdψ)減小,關(guān)態(tài)泄漏電流(Ii")升高,最后導(dǎo)致器件不能正常丁作。研究表明,這種現(xiàn)象是由熱載流子所致,故稱(chēng)為熱載流子注人效應(yīng)(H ot(rF1rrier Injection,HCI)。

   熱載流子是指其能童比費(fèi)米能級(jí)大幾個(gè)KT以上的載流子。這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài),當(dāng)其能量達(dá)到或超過(guò)Si SiO=界面勢(shì)壘時(shí)(對(duì)電子注人為3.2eV,對(duì)簾穴注人為1.5eV)便會(huì)注人氧化層中.產(chǎn)⒋界畫(huà)態(tài)、氧化層缺陷或被陷阱所俘獲.使氧化層電荷增加或波動(dòng)不穩(wěn),這就是熱載流子效應(yīng)。熱載流子包括熱電子和熱空穴。