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屏蔽層通過一個小辮終止于外殼2014/4/18 21:41:33
2014/4/18 21:41:33
圖12-13(d)中,屏蔽層通過一個小辮終止于外殼。共模電流流動的分析與圖12-13(c)是相同的,HEF4520BP電流到達屏蔽層內(nèi)表面底部的點(圖12-13(d)中的點A)。在點A,有一個電...[全文]
共模電壓2014/4/18 21:35:35
2014/4/18 21:35:35
控制共模輻射的第一步是使驅(qū)動天線(電纜)的共模電壓最小化。這通常包括接地電壓的最小化,HEF4514BT這意味著使接地阻抗最小化,如第10章所討論的。對此,接地平面或接地網(wǎng)格的應用是一個非常有效...[全文]
抵消環(huán)路2014/4/18 21:22:31
2014/4/18 21:22:31
如果我們不能印制足夠小的環(huán)路,我們可HEF4081BP以找到一個簡單的方法去印制兩個相互抵消的環(huán)路嗎?考慮如圖12-8(a)所示的一個時鐘跡線和它的接地返回路徑的情況。來自環(huán)路的發(fā)射將是環(huán)路面積...[全文]
電路板的布設2014/4/18 21:16:39
2014/4/18 21:16:39
控制差模輻射發(fā)射的第一步是印制電路板的布設。為了成本效益,最初設計電路板時必須考慮發(fā)射控制。當布設一個印制電路板(PCB)以控制發(fā)射時,HEF4069UBT應使信號跡線所形成的環(huán)面...[全文]
電源隔離2014/4/17 21:29:14
2014/4/17 21:29:14
對于高頻去耦問題唯一真正的解決方法是在PCB內(nèi)使用多個離散或嵌入式電容。雖然另一個方法不解決基本的去耦問題,HD74LS157RPEL-E-Q但它可以且已被應用于使較差去耦的不利影...[全文]
嵌入式電容的實際應用2014/4/17 21:26:28
2014/4/17 21:26:28
1989-1990年Zycon(Zycon自那以后成為Hadco,現(xiàn)在是Sanmina)利用標準的FR-4環(huán)氧玻璃作為電介質(zhì),開發(fā)了具有2mils層間距的特殊的PCB層壓板。HD74LS04P這...[全文]
去耦電容2014/4/17 20:48:51
2014/4/17 20:48:51
時鐘頻率的增大以及更快的上升時間都將導致有效的電源去耦變得更加困難。無效的去HCF4050M013TR耦可以導致過多的電源總線噪聲以及過多的輻射發(fā)射。許多設計者通過在靠近IC處放一...[全文]
數(shù)字電路電流流動小結(jié)2014/4/17 20:36:45
2014/4/17 20:36:45
從上面的例子,可以推斷出對電流而言,參考面HCF4011M013TR或?qū)邮墙拥貙舆是電源層沒有差別。在上面所有的例子中,電流通過一個小的環(huán)路面積直接返回到源是沒有問題的。沒有一個例子中電流必須改...[全文]
微帶線2014/4/16 20:42:08
2014/4/16 20:42:08
圖10-32給出了鄰近接地層的一個微帶線上由低到高轉(zhuǎn)換的電流通路。正如所看到的,CD4093BM96電流源是去耦電容。電流從CMOS邏輯門上面的晶體管流過信號跡線到負載,也流過跡線到地的寄生電容...[全文]
電感性負載2014/4/15 20:56:23
2014/4/15 20:56:23
這個表達式說明了當電流流過電感時突然中斷,瞬間產(chǎn)生很高的電壓。變化的RHRU15090速率d//dt很大并且是負值,這導致了很大的反向瞬態(tài)電壓或者電感性沖擊。從理論上說,如果電流從某個有限值瞬間...[全文]
交流電路與直流電路2014/4/15 20:48:29
2014/4/15 20:48:29
如果要保護接觸點,一旦電弧形成就要快速切斷以使得接觸材料受到的損害最小。RHRU150100如果切斷不夠快,一些金屬從一個觸點轉(zhuǎn)移到另一個觸點。電弧產(chǎn)生的損害與它具有的能量成比例——也就是(電壓...[全文]
化學鍍2014/4/14 22:06:52
2014/4/14 22:06:52
化學鍍,更準確的名字是化學沉積,LQW2BHNR47J03L是通過受控的化學反應(通過金屬沉積催化)沉積一層金屬涂料(通常是鎳或銅),是將部件浸沒到一個化學浴槽(缸)里完成的。這個過程產(chǎn)生良好...[全文]
尋電涂料2014/4/14 22:05:13
2014/4/14 22:05:13
如今使用的許多電子產(chǎn)品都涂有導電涂料。STK4038II該涂料由黏合劑(通常是聚氨酯或丙烯酸)和導電填充料(銀、銅、鎳或石墨)組成。一種典型的混合物可以包含多達80%的導電填充料和僅僅20%的有...[全文]
窗口的安裝2014/4/14 22:03:13
2014/4/14 22:03:13
在決定整體性能上,安裝TLP620-2屏蔽窗口(不論金屬絲網(wǎng)或?qū)щ娡繉樱┑姆椒ㄅc窗口本身的材料一樣重要。窗口的安裝必須滿足:沿著整個窗口的周邊金屬絲網(wǎng)(或?qū)щ娡繉樱┖桶惭b機殼的表面之間有良好的電...[全文]
透明導電涂層2014/4/14 22:00:20
2014/4/14 22:00:20
極薄的透明導電涂層可以真空沉積到光學基板上,如塑料或玻璃。這種方法具有適中的光透明度和良好的屏蔽特性。由于沉積的薄膜厚度為肚in級,TLP572吸收損耗很小,主要的屏蔽效果來自反射損耗。...[全文]
接縫的阻抗2014/4/14 21:38:48
2014/4/14 21:38:48
雖然這個試驗測量了頻率范圍為1MHz~lGHz的測試樣品的轉(zhuǎn)移阻抗,圖6-30只畫出了情況最差的阻抗。注意縱軸表示的是比例數(shù)而不是實際轉(zhuǎn)移阻抗。SN74LS423D相應于每個比例數(shù)的轉(zhuǎn)移阻抗的范圍列在...[全文]
配件表面之間的低接觸電阻2014/4/14 21:20:45
2014/4/14 21:20:45
接縫是一條狹長的窄縫,RN222-4/02它可能會也可能不會在沿著長度不同的點有電接觸。有些時候很難想象一個縫可以作為輻射結(jié)構(gòu),因為它的尺寸太小了,可能僅僅是lin的幾千分之一。如前所述,通?...[全文]
用磁性材料屏蔽2014/4/13 16:41:58
2014/4/13 16:41:58
如果用磁性材料代替良導體做屏蔽層,那么,磁導率增加,電導率減小,有以下的影響:(1)增加了吸收損耗,MRF10150因為對于大多數(shù)磁性材料磁導率的增加大于電導率的減小(見式(6-1...[全文]
氧體磁珠的一些應2014/4/13 15:52:42
2014/4/13 15:52:42
鐵氧體的衰減取決于包含鐵氧體電路的源和負載的阻抗。為了在關注的頻率有效,鐵氧IR2132S體必須提供一個阻抗,該阻抗值大于源和負載阻抗之和。因為大部分鐵氧體的阻抗只有幾百歐姆或更低,它們在低阻抗...[全文]
定時關機控制過程分析2014/4/12 13:22:29
2014/4/12 13:22:29
如果轉(zhuǎn)換開關S2位于1的位置,AT24C04N-10SU-1.8則集成電路Al的③腳為低電位,使雙向晶閘管VS1因無觸發(fā)電壓而截止,用電器無電不能工作。這時按下定時開關Sl,集成電...[全文]
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