- 與差模傳導(dǎo)騷擾分析類似2017/6/19 20:32:56 2017/6/19 20:32:56
- 與差模傳導(dǎo)騷擾分析類似,用圖4.46可以表達(dá)出共模傳導(dǎo)騷擾產(chǎn)生的原理及頻率與幅度之間的關(guān)系。圖4.47是沒有共模濾波電路的開關(guān)電源傳導(dǎo)騷擾測(cè)試等效電路圖。HCPL-7710-500E...[全文]
- 結(jié)電容方面具有與TⅤs相同的特點(diǎn)2017/6/18 16:55:30 2017/6/18 16:55:30
- TSs在響應(yīng)時(shí)間、結(jié)電容S912XDP512J1MAL方面具有與TⅤs相同的特點(diǎn),易于制成表貼器件,很適合在單板上使用。TSS動(dòng)作后,將過電壓從擊穿電壓值附近下拉到接近0Ⅴ的水平。這時(shí)二極管的結(jié)...[全文]
- 氣體放電管2017/6/18 16:46:08 2017/6/18 16:46:08
- 氣體放電管是一種開關(guān)型保護(hù)器件。圖4.6是氣體放電管氣體放電管的工作原理是氣體放電。S29JL064J55TFI000當(dāng)兩極間的電壓足夠大時(shí),極間間隙將被放電擊穿,由原來的絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電狀態(tài)...[全文]
- 主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB互連部分實(shí)物照片2017/6/17 19:40:55 2017/6/17 19:40:55
- 同時(shí),對(duì)該產(chǎn)品擴(kuò)展模塊上的I/0電纜進(jìn)行IEC61OOO-⒋4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的E田/B測(cè)試時(shí),E10DS1-TE12L發(fā)現(xiàn)只要測(cè)試電壓超過±1kⅤ,該產(chǎn)品就會(huì)出現(xiàn)誤動(dòng)作現(xiàn)象�！驹蚍治觥�...[全文]
- 并聯(lián)1000pF電容作用原理2017/6/16 20:38:11 2017/6/16 20:38:11
- 查閱電容的頻率一阻抗特性,得知1000pF左右的貼片電容,如果保證最短的引線電感(引線電感較長(zhǎng),會(huì)使該電容失效),由于1000pF的電容的自諧振頻率是150MHz附近,M27C4001-100F...[全文]
- 輻射發(fā)射結(jié)果就超標(biāo),其他電纜對(duì)輻射發(fā)射幾乎沒有影響2017/6/15 20:31:19 2017/6/15 20:31:19
- 再來介紹一下該設(shè)各的接口,該設(shè)各有四個(gè)接口,其中485接口兩個(gè),使用DB連接器;告警輸出接口一個(gè),也使用DB連接器;以太網(wǎng)口一個(gè),采用屏蔽RJ-45連接器,M24C32-RMN6TP且?guī)в薪饘倩?..[全文]
- 利用斷開驅(qū)動(dòng)源與天線之間2017/6/15 19:56:18 2017/6/15 19:56:18
- 處理措施】從分析可知,要解決共模輻射的問題,可以從形成共模輻射的兩個(gè)必要條件入手。既然M24128-BWDW6TP本案例中線纜AG是驅(qū)動(dòng)源,較長(zhǎng)接地線是天線,那么只要將其中一部分取...[全文]
- 內(nèi)部線纜布置圖 2017/6/15 19:54:33 2017/6/15 19:54:33
- 【原因分析】經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn),該設(shè)備的直流供電電源線M20-9980845布線情況如圖3.15所示,即直流電源線(包括0Ⅴ與48Ⅴ線)和接地線從金屬外殼進(jìn)人設(shè)備后,連接到接線端子。接地...[全文]
- 以下幾點(diǎn)是選擇連接器的基本原則2017/6/14 21:56:22 2017/6/14 21:56:22
- 如果選擇了帶濾波的連接器,就要保證濾波連接器有良好的接地特性。特別是MTV14N50E對(duì)于含有旁路電容的濾波連接器(大部分都含有),由于信號(hào)線中的大部分干擾被旁路到地上,因此在濾波器與地的接觸點(diǎn)...[全文]
- 2017/6/13 19:22:53 2017/6/13 19:22:53
- 電位器不工作故障這種故障的外在表現(xiàn)是旋轉(zhuǎn)電位器轉(zhuǎn)軸時(shí)電路中的電流或電壓均無任何變化;對(duì)于音量電位器則表現(xiàn)為無聲故障或音量關(guān)不死現(xiàn)象。PDTC143XT215可用萬用表檢測(cè)電位器兩個(gè)...[全文]
- 用真空蒸發(fā)法制成的鋁一氧化硅也可歸于金屬膜一類2017/6/13 19:05:23 2017/6/13 19:05:23
- 用真空蒸發(fā)法制成的鋁一氧化硅也可歸于金屬膜一類;這種電位器的阻值范圍比較寬(0,05~100kΩ),耐磨性和穩(wěn)定性均較好,溫度系數(shù)在阻值為5~6kΩ時(shí)接近0,低阻時(shí)呈正向變化、高阻時(shí)呈負(fù)向變化。...[全文]
- 中頻電源的發(fā)展趨勢(shì)2017/6/12 19:36:47 2017/6/12 19:36:47
- 隨著電力電子功率器件的大容量化、高頻化,電子技術(shù)裝置的控制由模擬向數(shù)字化、L-14W6N8JV4E智能化發(fā)展,中頻感應(yīng)加熱電源的發(fā)展趨勢(shì)呈現(xiàn)以下幾個(gè)方面的特點(diǎn)。(1)中頻感應(yīng)加熱電...[全文]
- 現(xiàn)代中頻電源能自動(dòng)判斷2017/6/12 19:20:02 2017/6/12 19:20:02
- 現(xiàn)代中頻電源能自動(dòng)判斷=相進(jìn)線相序,無須分辨A、B、C相序,調(diào)試極為方便�，F(xiàn)代中頻電源的電路板制作全部采用波峰自動(dòng)焊接,無虛焊現(xiàn)象,各種調(diào)節(jié)系統(tǒng)全部采用無觸點(diǎn)式電子調(diào)節(jié),無故障點(diǎn),...[全文]
- 帶正電的質(zhì)子和不帶電的中子集中在原子核中2017/6/11 10:21:10 2017/6/11 10:21:10
- 進(jìn)一步分下去，就會(huì)產(chǎn)生構(gòu)成每個(gè)原子的3個(gè)部分。它們被稱為亞原子粒子(subatomicpartiCle)，BAS40-06LT1G也就是質(zhì)子(proton)、中子(neutron)和電子(ele...[全文]
- 電冰箱和汽車不太可能使用最新的尖端器件2017/6/11 10:17:54 2017/6/11 10:17:54
- 晶圓的直徑將會(huì)達(dá)到450mm以上，工廠的自動(dòng)化水平也將遍及到機(jī)器之間，BAS40/DG/B2,215并且?guī)в屑傻墓に嚤O(jiān)測(cè)系統(tǒng)。更多高水平的工藝將會(huì)要求更高產(chǎn)量的晶圓制造廠，這些工廠具有更精密的...[全文]
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2017/6/11 10:13:29 2017/6/11 10:13:29
- 20世紀(jì)50年代的確是半導(dǎo)體發(fā)展的黃金時(shí)期，幾乎所有基本的工藝和材料都是在這個(gè)非常短的時(shí)期內(nèi)開發(fā)出來的。在這十年里，由開始用鍺材料制造小量的簡(jiǎn)單器件，BAS21LT3G發(fā)展到奠定r半導(dǎo)體未來的第...[全文]
- 第一個(gè)晶體管和今天的高密度集成電路相去甚遠(yuǎn)2017/6/11 9:55:59 2017/6/11 9:55:59
- 真空管有一系列的缺點(diǎn)。BAR63-02VH6327如體積大，連接處易于變松導(dǎo)致真空泄漏、易碎、要求相對(duì)較多的電能來運(yùn)行，并且元件老化很快ENIAC和其他基于真窄管的計(jì)算機(jī)的主要缺點(diǎn)是由于真空管易...[全文]
- 該產(chǎn)品在構(gòu)架設(shè)計(jì)上存在一個(gè)比較明顯的EMC缺陷2017/6/9 19:51:14 2017/6/9 19:51:14
- 【原因分析】該產(chǎn)品在構(gòu)架設(shè)計(jì)上存在一個(gè)比較明顯的EMC缺陷。這個(gè)缺陷在哪里,通過對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行ESD干擾路徑分析就可以看出。圖2.81就是靜電放電點(diǎn)在金屬外殼上時(shí)的ESD共模干擾路徑...[全文]
- 將EUT接地線接至LIsN的接地端2017/6/7 21:13:38 2017/6/7 21:13:38
- 測(cè)試過程中,改變接地線的連接方式,即將EUT接地線接至LISN的接地端,同時(shí)接AC508A1KQMG-P11地線與電源線以較近的距離(小于5mm)平行布線(如圖2.18所示),電源線、LISN、...[全文]
- 共模噪聲所導(dǎo)致的傳導(dǎo)騷擾原理2017/6/7 21:06:12 2017/6/7 21:06:12
- 圖2.10中,C1,C2,C3分別是主機(jī),以太網(wǎng)AAT7205-S11-T模塊,以太網(wǎng)線對(duì)與參考地之間的分布電容;Cy是PCB中跨接在0Ⅴ地與以太網(wǎng)模塊接地端子之間的旁路電容;Zp是主機(jī)zⅤ與以...[全文]
熱門點(diǎn)擊
- 液態(tài)TEOS源通常置于源瓶中用載氣鼓泡方
- 濾波器的主要技術(shù)指標(biāo)
- 碳膜電阻體會(huì)因電流過大而嚴(yán)重?zé)龎?/a>
- 堅(jiān)膜
- 諧波電流測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)介紹
- 日本GMS/MηAT衛(wèi)星
- 鐵氧體磁珠特性曲線舉例
- GB17625.2標(biāo)準(zhǔn)限值規(guī)定如下
- 低勢(shì)壘高度的歐姆接觸
- 時(shí)鐘信號(hào)擴(kuò)頻后的時(shí)域波形圖
IC型號(hào)推薦
- NM43256AN-10LL
- NM43256AN-12L
- NM4370201
- NM437L069
- NM4565
- NM4750AWAA
- NM485DC
- NM48T18-150PCI
- NM5104F15DW
- NM5118165BJ-60
- NM514265DJ6
- NM514400BJ-60
- NM514400CLZ8
- NM514800CJ7
- NM5212165TD10
- NM5290J-3
- NM5368N
- NM56210-V1
- NM58167N
- NM6002-CS
- NM6038F
- NM658512ALFPI-10V
- NM6612S
- NM662752CDM1
- NM7010A-LF
- NM7010B
- NM70117B
- NM74HC595B
- NM766151
- NM77001B
公網(wǎng)安備44030402000607
