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場助擴散效應(yīng)2017/5/14 17:54:41
2017/5/14 17:54:41
雜質(zhì)(施主或受主雜質(zhì))在硅中擴散時,是以電離施主(或受主)和電子(或空穴)各自進行擴散運動的。R1170H251B-T1-F由于電子(或空穴)的擴散速率比雜質(zhì)離子的擴散速率大得多,則電子(或空穴...[全文]
sio2層成膜質(zhì)量的測量2017/5/12 22:00:06
2017/5/12 22:00:06
集成電路對熱生長⒊C)纟層質(zhì)量的要求很高,主要是控制⒏02的針孔、SiO2層中的可動電荷、界面上及⒏O2層中的固定電荷和陷阱、Si`/SiO2界面態(tài)密度等。S912XET256J2MAL氧化膜缺...[全文]
低缺陷密度2017/5/12 21:33:40
2017/5/12 21:33:40
①低缺陷密度以降低在低電場下的突然性失效次數(shù)。OMAPL138BZWTA3②好的抗雜質(zhì)擴散的勢壘特性對曠多晶硅柵的少MOSFET特別重要。③具有...[全文]
氧化完成后緩慢地將裝有硅片的石英舟拖出2017/5/11 22:29:00
2017/5/11 22:29:00
實際熱氧化工藝多是采用干、濕氧交KIA78L05替的方法進行,如3DK4的一氧工藝:干氧15min,再濕氧40rnin,最后干氧15min。干、濕氧交替進行的目的就是為了獲得表面致密、針孔密度小...[全文]
工氧化硅結(jié)構(gòu)2017/5/11 22:07:26
2017/5/11 22:07:26
二氧化硅(s02)是自然界中廣泛存在的物質(zhì),其結(jié)構(gòu)如圖⒋1所示,按其結(jié)構(gòu)特征可將其分為結(jié)晶形和非結(jié)品形(無定形)。KA358DTF其基本結(jié)構(gòu)單元如圖⒋1(a)所示。工氧化硅的基本結(jié)...[全文]
MBE是一種超高真空蒸發(fā)技術(shù)2017/5/10 22:16:58
2017/5/10 22:16:58
停機,必須待襯底溫度降至室溫后,再停機MAX1706EEE取出硅外延片。硅的MBE和VPE相比具有如下優(yōu)勢:①襯底溫度低,沒有自摻雜效應(yīng);而互擴散效應(yīng)帶來的雜質(zhì)再分布現(xiàn)象也很弱。②外延生長室真空...[全文]
制各出的電子級高純度多晶硅中仍然含有十億分之幾的雜質(zhì)2017/5/7 17:36:29
2017/5/7 17:36:29
還可以采用硅烷還原法作為酸洗硅的進一步提純方法。首先將酸洗過的硅和氫氣反應(yīng)生成硅烷SlH4,SiH4常溫下是氣態(tài),易于純化,純化⒏H4后,K4S561633F-XL75加熱使其分解,獲得電子級高...[全文]
硅片的制備2017/5/7 17:30:47
2017/5/7 17:30:47
單晶硅襯底的制各有兩種方法:一種是由石英砂冶煉、提純制備出高純多晶硅,然后由高純多晶硅熔體拉制出單晶硅錠,再經(jīng)切片等工藝加工出硅片;G2R-2-DC12V另一種方法是在單晶襯底上通過外延△藝生長...[全文]
常用的施主、受主雜質(zhì)在硅晶體中只能形成有限替位式固溶體2017/5/7 17:29:12
2017/5/7 17:29:12
常用的施主、受主雜GM386S8質(zhì)在硅晶體中只能形成有限替位式固溶體。替位雜質(zhì)的原子半徑不是大于就是小于硅原子半徑,在1.2.2節(jié)中提到晶格的失配也可能引起位錯。當(dāng)在同一硅晶體中,若某一部分摻入...[全文]
掃描輻射計10通道波段的設(shè)置及探測目的2017/5/4 19:35:18
2017/5/4 19:35:18
FY-1衛(wèi)星的輻射計主要由光機掃描器、系統(tǒng)控制和信息處理器、紅外前置放大器、Q3716LH01000700輻射制冷器和輻冷溫度測控器等單機組成c8臺儀器分為A、B兩套,一套工作,一套冷各份,可通...[全文]
日本GMS/MηAT衛(wèi)星2017/5/3 21:38:34
2017/5/3 21:38:34
日本自1977年7月發(fā)射GMs衛(wèi)星以來,共發(fā)射了M27C332-100F15顆GMS衛(wèi)星,采用自旋穩(wěn)定方式。GMS-5于1995年3月發(fā)射,定位于140°E。GMS-5衛(wèi)星的主要有效載荷為掃描輻...[全文]
二維指向鏡2017/4/25 21:46:07
2017/4/25 21:46:07
整體擺動傳感頭的掃描方法存在伺服驅(qū)動的機械慣量大、功耗高、位置控制精度低等缺點,M12L64164A-7TG因此,一些對設(shè)備體積、重量限制較嚴(yán)的光電搜索、跟蹤系統(tǒng)常采用二維指向鏡與面陣凝視成像探...[全文]
新型復(fù)合材料2017/4/22 21:51:18
2017/4/22 21:51:18
目前用于紅外反射鏡的新型復(fù)合材料主要有碳纖維增強樹脂(CFRP)、碳纖維增強陶瓷(CFRC)、M2022-ALB碳纖維增強碳基復(fù)合材料(C/C)等碳纖維復(fù)合材料。碳纖維增強樹脂復(fù)合材料是目前最先...[全文]
紅外透射材料2017/4/21 21:14:03
2017/4/21 21:14:03
紅外透射材料是紅外熱成像系統(tǒng)的光學(xué)元件的重要材料。紅外透射材料不但要求具有高性能、小體積,OPA343NA/3K還要造價低。高性能方面主要包括:結(jié)構(gòu)完整、組分均勻以免發(fā)生散射,在測量波段內(nèi)具有高...[全文]
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其掃描模式2017/4/21 21:10:00
2017/4/21 21:10:00
風(fēng)云二號多通道掃描輻射計的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖3-31所示,其四個可見光通道直接利用兩反射式的主光學(xué)系統(tǒng)(RC雙反射系統(tǒng)),是一個反射式的光學(xué)系統(tǒng);OPA342NA/3K而紅外水汽通道,則...[全文]
二氧化碳大氣厘米數(shù)2017/4/19 21:22:12
2017/4/19 21:22:12
在描述傳輸路徑上吸收氣體分子數(shù)量時,與水蒸氣采用可凝結(jié)水量這一物理量不同,J3011G21DNL由于二氧化碳在大氣中是不會凝結(jié)成液態(tài)的,通常采用輻射傳輸路徑上的二氧化碳大氣厘米數(shù)(甜m.cm)來...[全文]
分子的帶吸收2017/4/18 21:31:13
2017/4/18 21:31:13
分子的帶吸收。LAN9514-JZX同樣從第1章紅外光譜相關(guān)章節(jié)的內(nèi)容我們知道,紅外光譜也被稱為分子振動-轉(zhuǎn)動光譜,因此大氣中氣體分子的振動能級躍遷或轉(zhuǎn)動能級躍遷都會對紅外輻射產(chǎn)生較為強烈的吸收...[全文]
地球2017/4/16 21:22:10
2017/4/16 21:22:10
由于地球表面的物質(zhì)種類繁多,地物輻射特性不但與物質(zhì)種類有關(guān),而且還與地理位置、季節(jié)、ADC084S051CIMM晝夜時間和氣象條件等都有關(guān)系,所以地球的輻射特性是非常復(fù)雜的。與天空的輻射特性類似...[全文]
輻射強度(J或J)2017/4/13 21:41:42
2017/4/13 21:41:42
與“面源”輻射體相對應(yīng),我們將可以不考慮其大小的輻射體稱為“點源”輻射體。AD8031ART-REEL7需要指出的是所謂“面源”和“點源”是相對的概念。與面源類似,為了描述點源的輻射能力,人們引...[全文]
對于電磁發(fā)射測試的限值不盡相同2017/4/12 20:14:58
2017/4/12 20:14:58
例如,對于一款顯示器產(chǎn)品而言,其目標(biāo)市場為中國、歐洲和美國,這樣該產(chǎn)品在EMC方面就至少需要同時滿是3C、CE和FCC要求。最好將這三個不同的認證體系中,EL1537IREZ關(guān)于EMC部分的測試...[全文]
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