- 電流探頭是信號端口傳導騷擾測試的關(guān)鍵設備2017/6/6 20:57:35 2017/6/6 20:57:35
- 電流探頭是信號端口傳導騷擾測試的關(guān)鍵設備。圖1.34是信號端口傳導騷擾測試配置圖,從圖1.34中可以明確看到電流探頭實質(zhì)上測試的就是EUT電纜上的共模電流。L1117-3.3當然與單極天線或偶極...[全文]
- 半無窮大樣品的測量2017/6/3 22:40:35 2017/6/3 22:40:35
- 半無窮大樣品的測量(如硅棒)。將I作選擇開關(guān)旋至“調(diào)節(jié)”,“電流量程”為1mA,“電壓量程”為~9OmV,按下電流開關(guān),調(diào)節(jié)電流電位器,顯示器顯示值為6.28,調(diào)節(jié)好后按電流開關(guān)使之彈出,斷開。...[全文]
- 某些環(huán)境條件的變化引發(fā)電路失效2017/6/2 22:13:41 2017/6/2 22:13:41
- 某些環(huán)境條件的變化引發(fā)電路失效(如溫度、濕度等);偶然錯誤,但通常都是嚴重失效,如連接錯誤等。VEJ471M1E1010-TR0其中①、③和④通常只是引起電路功能偏離...[全文]
- 干擾錯誤2017/6/2 22:04:58 2017/6/2 22:04:58
- 電路中的節(jié)點也可能由于短路等原因,在其周罔節(jié)點的動作下,被錯誤地影響為0或1。由于這VEJ221M1VTR-0810種失效機理與干擾錯誤鏈上節(jié)點間邏輯上的相互獨立性有關(guān),困此在沒有考慮到具體工藝...[全文]
- 可靠性測試2017/6/2 21:54:06 2017/6/2 21:54:06
- IC的可靠性包含了許多方面,從設汁、I藝到封裝、測試,也就是說一個￡產(chǎn)品從開發(fā)到最后出廠,VEJ101M1V0810-TR0每個環(huán)節(jié)都涉及它的可靠性�！甑纳a(chǎn)流程常常有巢幾十步甚至上百步,其中的...[全文]
- 集成電路測試技術(shù) 2017/6/2 21:16:47 2017/6/2 21:16:47
- 微電子產(chǎn)品特別是集成電路的生產(chǎn),要經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝,其中任何一步的錯誤,都VE-102M1E1313-TR0可能是最后導致器件失效的原因。同時版圖設計是否合理,產(chǎn)品可靠性如何,這些都要...[全文]
- 低勢壘高度的歐姆接觸2017/5/29 17:08:16 2017/5/29 17:08:16
- 當金屬功函數(shù)大于p型而小于n型硅的功函數(shù)時,金屬與半導體接觸可以形成理想的歐姆接觸。IL3585E但是,由于受金屬/半導體界面的表面態(tài)的影響,在半導體表面會感應出空間電荷區(qū)(層),形成接觸勢壘。...[全文]
- 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點2017/5/27 21:00:46 2017/5/27 21:00:46
- 對于早期器件的刻蝕工藝,一般來說要求刻蝕深度均勻、選擇比好、掩膜能完M95256-WDW6TP全傳遞和側(cè)壁的陡直度好。隨著新型器件的不斷出現(xiàn),對于刻蝕工藝也提出了越來越多的要求,形貌方面比如圓包...[全文]
- 極紫外光刻(EUV)2017/5/27 20:32:58 2017/5/27 20:32:58
- 2001年4月,EUV`有限責任公司(EUVLLC)推出了第一臺全尺寸EUV深度紫外線光刻機原型。EUVLLC是由一些全球領先的芯片制造商和3個美國能源部研究實驗室組成的聯(lián)盟。H5007T成員包...[全文]
- 光學鄰近效應校正技術(shù)2017/5/26 21:09:09 2017/5/26 21:09:09
- 光學鄰近效應是指在光刻過程中,由于掩膜上相鄰微細圖形的衍射光相互干涉而造成像面光強分布發(fā)生改變,使曝光得到的圖形偏離掩膜設計所要求的尺寸和形狀,如圖10△5所示是光學鄰近效應的示意圖。SCDS7...[全文]
- 微粒數(shù)量和金屬含量2017/5/26 20:47:29 2017/5/26 20:47:29
- 光刻膠的純凈度與光刻膠中的微粒數(shù)量和金屬含量有關(guān)。為了滿足對光刻膠中微粒數(shù)蚩的控制,光刻膠在生產(chǎn)的過程中需要經(jīng)過嚴格的過濾和超凈的包裝。通過嚴格的過濾和超凈的包裝,可以得到高純度的光刻膠。SBJ...[全文]
- 半導體工業(yè)發(fā)展到今天已經(jīng)基于一個成熟的平臺2017/5/25 21:50:37 2017/5/25 21:50:37
- 隨著工藝節(jié)點的不斷提升,掩模板的制造成本也呈直線攀升。一套130nm的掩模板的平均價格為40萬美元,90nm為60萬美元,65nm為70萬美元,45nm為120萬美元,32/28nm為250萬美...[全文]
- 氧化鐵版在使用上還有以下優(yōu)點2017/5/25 21:24:12 2017/5/25 21:24:12
- 氧化鐵版在使用上還有以下優(yōu)點:①在觀察光源波長下是透明的,而在曝光光源波長下是不透明的。由于這S-24c01BFJ-TB一特性,掩膜對可見光透明而阻擋紫外線通過,囚而允許在光刻時通...[全文]
- 玻璃基板的制備2017/5/25 21:15:09 2017/5/25 21:15:09
- 挑選好的制版玻璃。通過切ACS712ELCTR-20A-T割、銑邊、例棱、倒角、粗磨、精磨、厚度分類、粗拋、精拋、超聲清洗、檢驗、平坦度分類等I序后,制成待用的襯底玻璃。鉻膜的蒸發(fā)...[全文]
- 小島2017/5/24 22:06:41 2017/5/24 22:06:41
- 小島,是指在應該將氧化層刻蝕干凈的擴散窗口內(nèi),還留有沒有刻蝕干凈的氧化層局部區(qū)域,它HAT3018RJ-EL-E的形狀不規(guī)則,很像“島嶼”,尺寸一般比針孔大些,習慣上稱這些氧化層“島嶼”為小島。...[全文]
- 堅膜2017/5/24 21:43:10 2017/5/24 21:43:10
- 和前烘一樣,堅膜也是一個熱處理步驟。堅膜就是在一定的溫度下,對顯影后的襯底進行烘焙。其的主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑,增強光刻膠對硅片表面的附著力,同時提HAT2199R-EL...[全文]
- 設備條件是了解所用蒸鍍設各的情況2017/5/22 19:44:00 2017/5/22 19:44:00
- 設備條件是了解所用蒸鍍設各的情況,確定可蒸鍍的薄膜及操作方法。電子束L3G4200DTR蒸鍍設各是當前使用最多的設備,它可以制各的薄膜材料范圍廣泛,如常用金屬、難熔金屬、合金、化合物等。但是,電...[全文]
- 液態(tài)TEOS源通常置于源瓶中用載氣鼓泡方式攜帶2017/5/19 21:43:28 2017/5/19 21:43:28
- 常用的APCVD方法是用TEOS/03系統(tǒng)來淀積SK)2。TEOS是有機物質(zhì),常溫時為液態(tài),凝固點為-77℃,沸點為168.1℃。液態(tài)TEOS源通常置于源瓶中用載氣鼓泡方式攜帶,同時用自身獨立的...[全文]
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