- 對于數(shù)字電路優(yōu)先使用地線網(wǎng)格2017/10/13 21:30:08 2017/10/13 21:30:08
- 在雙面PCB中,對于數(shù)字電路優(yōu)先使用地線網(wǎng)格,這種布線方式可以減少接地阻抗、接地回路和信號環(huán)路。地線和電源線的寬度最少應(yīng)為1.5mm。NCP1522BSNT1G另外的一種布局是將接...[全文]
- 接地是控制干擾的重要方法2017/10/13 21:23:43 2017/10/13 21:23:43
- 在電子設(shè)備中,接地是NCN4557MTR2G控制干擾的重要方法。如果能將接地和屏蔽正確結(jié)合起來使用,可解決大部分干擾問題。電子設(shè)各中地線結(jié)構(gòu)大致有系統(tǒng)地、機殼地(屏蔽地)、數(shù)字地(邏輯地)和模擬...[全文]
- 載流子受到界面散射影響有限2017/10/12 21:52:35 2017/10/12 21:52:35
- 為滿足10nm及以下技術(shù)節(jié)點對提高載流子速度和最大化驅(qū)動電流的要求,同時最大限度地減少漏電流和功耗,溝道材料具各載流子從源端注人、PCF8563T/5以彈道或準(zhǔn)彈道輸運方式遷移至漏端似乎是必要的...[全文]
- 柵極電壓夾斷溝道的難度也越來越大2017/10/11 22:09:13 2017/10/11 22:09:13
- 在過去的半個多世紀(jì)中,以CMC)S技術(shù)為基礎(chǔ)的集成電路技術(shù)一直遵循“摩爾定律”,OB3306QPA即通過縮小器件的特征尺寸來提高芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本,取得了巨大的經(jīng)濟效益與科學(xué)...[全文]
- 線性模型 2017/10/11 21:58:35 2017/10/11 21:58:35
- 線性模型描述在較小漏源電壓VI灬偏置下的MC)SFET器件特性。顧名思義,線性模型描述了MOSFET作為一個線性器件工作。更具體地它可以被建模為一線性電阻,其電阻OB2540MP由柵極一源極電壓...[全文]
- 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 2017/10/11 21:55:15 2017/10/11 21:55:15
- 一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻的現(xiàn)象稱為場效應(yīng)。利用場效應(yīng),使自O(shè)B2535CPA身具有放大信號功能的器件稱為場效應(yīng)器件。在這種器件薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏�？刂茩M向電場的...[全文]
- 雙極型晶體管2017/10/11 21:53:59 2017/10/11 21:53:59
- 雙極型晶體管由兩個PN結(jié)構(gòu)成,其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個稱為集電結(jié)。OB2532MP兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極,接在基...[全文]
- PN結(jié)自建電壓2017/10/11 21:50:16 2017/10/11 21:50:16
- 熱平衡狀態(tài)下,半導(dǎo)體內(nèi)的自建電壓等于跨過整個耗盡區(qū)的電勢差。由于熱OB2353CPA平衡,意味著費米能級在整個PN結(jié)二極管內(nèi)為常數(shù),這個自建勢將等于N型半導(dǎo)體費米能級EFn和P型半導(dǎo)體費米能級E...[全文]
- 半導(dǎo)體器件 2017/10/11 21:43:22 2017/10/11 21:43:22
- 本章主要介紹以硅材料為主的半導(dǎo)體器件,以及由這些半導(dǎo)體器件及其他電子元器件所構(gòu)成的當(dāng)代集OB2201CPA成電路不斷按比例縮小所面臨的挑戰(zhàn)及可能的解決方案。半導(dǎo)體器件與集成電路經(jīng)歷...[全文]
- EUT應(yīng)放置在高碉cm的非金屬臺上2017/10/10 21:01:54 2017/10/10 21:01:54
- 在使用吸收鉗測量時,EUT應(yīng)放置在高碉cm的非金屬臺上。被測導(dǎo)線沿水平方向拉成直線放置,以便吸收鉗能沿著導(dǎo)線移動從而找出最大指示值。REF3125AIDBZR該導(dǎo)線至少應(yīng)為最低測量頻率的半波長加...[全文]
- 使用吸收鉗來測量某些類型設(shè)備的電纜輻射騷擾功率2017/10/10 20:58:52 2017/10/10 20:58:52
- 使用吸收鉗來測量某些類型設(shè)備的電纜輻射騷擾功率,要取決于設(shè)備的結(jié)構(gòu)和尺寸。EF3112AIDBZR在每一個產(chǎn)品(簇)EMC標(biāo)準(zhǔn)中都應(yīng)規(guī)定嚴謹?shù)臏y量程序及其適用范圍。如果不帶連接導(dǎo)線的EUT的尺寸...[全文]
- EUT應(yīng)放置在高硐cm的非金屬臺上2017/10/10 20:57:19 2017/10/10 20:57:19
- 在使用吸收鉗測量時,EUT應(yīng)放置在高硐cm的非金屬臺上。被測導(dǎo)線沿水平方向拉成直線放置,REF3040AIDBZT以便吸收鉗能沿著導(dǎo)線移動從而找出最大指示值。該導(dǎo)線至少應(yīng)為最低測量頻率的半波長加...[全文]
- 使用吸收鉗來測量某些類型設(shè)備的電纜輻射騷擾功率2017/10/10 20:56:12 2017/10/10 20:56:12
- 使用吸收鉗來測量某些類型設(shè)備的電纜輻射騷擾功率,要取決于設(shè)各的結(jié)構(gòu)和尺寸。REF3040AIDBZR在每一個產(chǎn)品(簇)EMC標(biāo)準(zhǔn)中都應(yīng)規(guī)定嚴謹?shù)臏y量程序及其適用范圍。如果不帶連接導(dǎo)線的EUT的尺...[全文]
- 通過改善工藝來控制缺陷密度2017/10/9 21:58:47 2017/10/9 21:58:47
- 有研究表明,在1040℃條件下,生長⒉GaN層會比⒇0℃條件下生長的少GaN具有更好地抑制多量子阱中缺陷的能力,從而提高LED芯片的抗靜電的能力。RT9296GQW通過改善工藝來控制缺陷密度,能...[全文]
- 不像外加電源那樣具有持續(xù)放電的能力2017/10/9 21:48:22 2017/10/9 21:48:22
- 復(fù)雜性:在靜電N76E616AL48放電的情況下,起放電電源是空間電荷,因而它所儲存的能量是有限的,不像外加電源那樣具有持續(xù)放電的能力,故它僅能提供短暫發(fā)生的局部擊穿能量。雖然靜電放電的能量較小...[全文]
- 靜電放電引起發(fā)光二極管PN結(jié)的擊穿2017/10/9 21:47:15 2017/10/9 21:47:15
- 靜電放電引起發(fā)光二極管PN結(jié)的擊穿,是LED器件封裝和應(yīng)用組裝工業(yè)中靜電危害的主要方式。N28F010-150靜電放電對LED的危害非常大,造成8%~33%的良率損失,而且其損傷不是直接表現(xiàn)出來...[全文]
- GaN基LED相較于其他類似器件對靜電更敏感2017/10/9 21:41:55 2017/10/9 21:41:55
- 由于G瘀基發(fā)光二極管成功地實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn),G岔N基發(fā)光二極管在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。N25Q128A13BSF40G相對先前廣泛使用的發(fā)光二極管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaI...[全文]
- 目前通用的溫度場軟件模擬法主要有2017/10/9 21:36:54 2017/10/9 21:36:54
- 目前通用的溫度場軟件模擬法主要有:有限差分法、有限單元法和有限體積法。N25Q064A13ESF40F有限差分法(FDM)是應(yīng)用最早,而且應(yīng)用最廣泛的方法。這種方法把求解溫度場偏微分方程的問題轉(zhuǎn)...[全文]
- 電阻是各種電子元器件和電路的基本特征2017/10/8 19:36:12 2017/10/8 19:36:12
- 電阻是各種電子元器件和電路的基本特征,利用萬用表測量電子元器件或電路各點之間的電阻值來判斷故障是一種很常用的方法。QPI-8LZ測量電阻值有“在線”和“離線”兩種基本方式。“在線”測量,需要考慮...[全文]
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