20世紀(jì)50年代的確是半導(dǎo)體發(fā)展的黃金時(shí)期，幾乎所有基本的工藝和材料都是在這個非常短的時(shí)期內(nèi)開發(fā)出來的。在這十年里，由開始用鍺材料制造小量的簡單器件，BAS21LT3G發(fā)展到奠定r半導(dǎo)體未來的第一塊集成電路和硅材料的基礎(chǔ)，

   在要求新的制造L新的材料和新的制造設(shè)備以制造出新產(chǎn)品的推動下，20世紀(jì)60年代是該行業(yè)開始成長為成熟工業(yè)的十年。該行業(yè)芯片價(jià)格的下降趨勢也是20世紀(jì)50年代建訌的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動力。

   技術(shù)隨著J_：程師在硅谷、環(huán)波t：頓周邊的第128rj-路以及得克薩斯州的不同公司間的流動而傳播，到r 20世紀(jì)60年代，芯片制造廠的數(shù)量猛增，并且藝接近了吸引半導(dǎo)體特殊供應(yīng)商的水平，

   20世紀(jì)50年代的許多關(guān)鍵人物創(chuàng)建了新公司。Robert Noyce離開了仙童(Fairchild)公司建諺r英特爾公司（‘j Andrew Grove和Cordon Moore一起），Charles Sporck也離開了仙童公r習(xí)開始經(jīng)營國家半導(dǎo)體公司，Signetics公司成為第一家專門從事集成電路制造的公司，新器件設(shè)計(jì)通常是公司開始的動力，然而，價(jià)格的下跌是一個殘酷的趨勢，會將許多新、老公司驅(qū)逐出局.

   1963午，塑封在硅器件E的使用加速了價(jià)格的下跌，同一年，美國無線電( RCA)公司宣布開發(fā)出廠絕緣場效應(yīng)管( IFET)，這為MOS工業(yè)的發(fā)展鋪平了道路。RCA還制造出了第一個互補(bǔ)型MOS( CMOS)電路。

   在20世紀(jì)70年代初，半導(dǎo)體集成電路的制造主要在中規(guī)模集成電路( MSI)的水平，向有利潤并高產(chǎn)的大規(guī)模集成電路( LSJ)的發(fā)展在某種程度上受到了掩模版引起的缺陷和由接觸光刻機(jī)（Contact Aligner）造成的晶圓損傷的阻礙。Perkin and Elmer公司開發(fā)出了第一個實(shí)際應(yīng)用的投射光刻機(jī)，從而解決了掩模版和光刻機(jī)的缺陷問題。

   在這f‘年中，潔凈間的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行得到r提高，并出現(xiàn)了離子注入機(jī)，用于高質(zhì)量掩模版的電子束( e-beam)機(jī)，以及用于晶圓光刻掩模步進(jìn)式光刻機(jī)(Stepper)開始出現(xiàn)。

   工藝過程的自動化從旋轉(zhuǎn)涂膠／烘焙和顯影／烘焙開始，從操作員控制發(fā)展到工藝過程的自動控制提高r產(chǎn)量和產(chǎn)品的一致性。