漏極附近電場強度的增加是引發(fā)溝道熱載流子效應(yīng)的原因，因此，要減輕漏極附近的場強，AD8361ARMZ比較有效的措施是采用輕摻雜源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)結(jié)構(gòu)，使雪崩注入?yún)^(qū)向硅襯底下移，離開柵界面處，其情況如圖4. 11所示。

    圖4. 11   LDDS結(jié)構(gòu)和普通結(jié)構(gòu)電場強度的比較

   對深亞微米器件，還可采用P-I-N漏MOSFET結(jié)構(gòu)來抑制熱載流子效應(yīng)，所謂P-I-N漏結(jié)構(gòu)是在常規(guī)溝道區(qū)的源一漏端赴降低摻雜濃度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N溝道仍為P區(qū)），可進一步降低近漏端電場強度。

   此外，工作時限制V DS及VBS的大小，也可改善熱載流子效應(yīng)。

   在MOS器件及IC中，柵極下面存在一薄層Si0。，即通稱的柵氧（化層）。柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大，漏電增加到一定程度即可構(gòu)成擊穿，導(dǎo)致器件失效。

   當(dāng)前由于VLSI技術(shù)的進步，一方面器件尺寸在不斷縮小，要求柵氧厚度不斷減薄，但電源電壓并不能隨之按比例減小，柵介質(zhì)所承受的電場強度在不斷增加。例如，原來64k位DRAM，柵氧厚度40nm，電源電壓為5V，柵氧場強為1.25MV／cm。1M位

DRAM柵氧厚lOnm，內(nèi)部電壓降至2.5V，場強為2.5MV／cm。目前64M位DRAM，柵氧厚度僅為7nm，電壓降為3.3V，器件內(nèi)部不降壓時場強將達(dá)到4.7MV／cm。這對柵氧質(zhì)量及厚度的均勻性都提出了嚴(yán)格要求，以保證柵氧有一定壽命。另一方面，隨著IC集成度的提高，電路功能的擴大，可將一個系統(tǒng)集成在一塊芯片上，芯片面積不斷擴大，相應(yīng)地芯片上柵氧總面積增大，存在缺陷的概率增加，加上受到高電場作用，柵氧發(fā)生擊穿的地方增多，可靠性問題變得嚴(yán)重。