熱載流子效應(yīng)引起器件性能退化，AD8227ARZ原因在于界面態(tài)的產(chǎn)生及電荷注入氧化層中。目前研究界面態(tài)情況及氧化層中電荷性質(zhì)的一項有效手段是電荷泵(Charge Pumping，CP)技術(shù)，其原理如圖4.8所示。    

   圖4.8  電荷泵測試原理圖

   MOS器件的源和漏極連在一起后與襯底間施加一反向偏壓V，，柵極連接脈沖發(fā)生器，波形及幅度由示波器監(jiān)控。脈沖常用矩形波，幅度為AVA，脈沖上升、下降時間分別為、f，脈沖周期為TP，重復(fù)頻率為廠，脈沖上疊加偏置電壓VB。當(dāng)脈沖電壓使N溝道MOS器件從堆積進入反型時，從源一漏區(qū)進入溝道的電子，一部分被界面態(tài)所俘獲，當(dāng)柵脈沖使溝道區(qū)回到堆積時，溝道區(qū)中未被俘獲的電子在反向偏壓V．作用下又回到源（漏）極，但被界面態(tài)俘獲的少子與來自襯底的多子（空穴）復(fù)合，這樣通過界面態(tài)產(chǎn)生一個自襯底到漏源區(qū)的凈電荷流動，此即所謂的電荷泵電流，也即襯底電流，。u，它由串在襯底回路中的電流計測出.