增加芯片密度能夠在晶圓表面放置更多的元件，這實(shí)際上就減少了表面連線的可用空間。HIN238IB這個(gè)兩難的問(wèn)題的解決方法就是利用有2～4層獨(dú)立金屬層（見(jiàn)圖13.2）的多層金屬結(jié)構(gòu)。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖( ITRS)預(yù)測(cè)到2020年金屬層將達(dá)到15~20層1i。圖13.3顯示了一個(gè)典型的兩層全屬的堆疊結(jié)構(gòu)。這種堆疊結(jié)構(gòu)的底部是在硅表面形成的硅化物阻擋層( barrier layer)，這有利于降低硅表面和上層之間的阻抗。如果鋁作為導(dǎo)電材料的話，阻擋層也能夠阻止鋁和硅形成合金。接下來(lái)是一層介質(zhì)材料層，可稱之為金屬間介質(zhì)層（Intermetallic Dielectric Layer，IDL或IMD），它在兩個(gè)金屬層之間提供電絕緣作用。這種介質(zhì)材料可能是淀積的氧化物、氮化硅或聚酰亞胺膜。這一層需要進(jìn)行光刻以形成新的連接孔，這些連接孑L稱為通孔( via)或塞(plug)，它們下到第一層金屬。在這些連接孔中淀積導(dǎo)電的材料，就可以形成導(dǎo)電的塞，、緊接著，第一層的金屬層被淀積并進(jìn)行圖形化工藝。在以后的工藝中，重復(fù)IM D/塞／金屬淀積或圖形化j二藝，就形成f多層金屬系統(tǒng)。多層金屬系統(tǒng)更昂貴，良品率較低，同時(shí)需要盡量使晶圓表面和中間層平坦化，才能制造出比較好的載流導(dǎo)線。