通過擴散形成深阱技術要求大的熱預算，而這些NUD4011DR2G熱會加劇產(chǎn)生橫向擴散問題和應力問題�，F(xiàn)在，離子注入阱十分普及。另外，NUD4011DR2G用離子注入，可以控制阱在垂直方向上的摻雜，從而使晶片性能達到最優(yōu)化。所謂倒摻雜阱( retrograde well)是由一些高能離子的離子注入( MeV)形成的，可使阱的最下方有更高的摻雜濃度。與傳統(tǒng)的阱（見圖16. 45）形成方法相比，離子注入阱的另一個優(yōu)點是工藝步驟較少。另外，因為N阱和P阱是在同一個晶圓表面形成的，所以就可以省去平坦化這個步驟。在傳統(tǒng)的阱工藝中，晶片的表面是不平的，所以會造成景深的問題。