顯影劑( developer)：在經(jīng)過DG506AEWI芯片制造工藝中的掩膜和曝光確定去除區(qū)域后，用來去除光刻膠的化學(xué)藥品，器件( device)：?jiǎn)谓Y(jié)元件，如晶體管、電阻或電容器。去離子水( DI water)：通過其電阻率測(cè)量該水的純度，標(biāo)準(zhǔn)是l 8 Mgl,乙硼烷( B2H6)：-種氣體，經(jīng)常用于向硅中摻硼。芯片(die)：晶圓上由劃片線分隔的單元。當(dāng)所有晶圓制造步驟完成后，芯片經(jīng)過切割分開分開后的單元稱為芯片。

   芯片黏結(jié)( die bonding)：封裝步驟、通過導(dǎo)電的黏合劑或金屬合金將單個(gè)芯片黏接在封裝體f：芯片分揀( die sort)：參見晶圓電測(cè)，通常稱為中測(cè)。介質(zhì)( dielectric)：絕緣材料。在加電壓時(shí)不傳導(dǎo)電流。半導(dǎo)體I：藝中常用兩種介質(zhì)，即氧化硅和氮化硅。擴(kuò)散( diffusion)：半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝．將少量雜質(zhì)（摻雜物）加入襯底材料如硅或鍺中，并使摻人的雜質(zhì)在襯底中擴(kuò)散。該工藝過程對(duì)溫度和時(shí)間依賴性很強(qiáng)，擴(kuò)散率（diffusivity】：摻雜物在半導(dǎo)體中移動(dòng)或擴(kuò)散的速率。二極管( diode)：只允許電流單向流動(dòng)的器件。    ’雙列直插封裝(DIP)：長(zhǎng)方形集成電路封裝體。其管腳沿長(zhǎng)邊排列并向下彎折以便插接．分立器件( discrete device)：只具備單一功能的電路。包括電容、電阻、晶體管和熔斷絲等．位錯(cuò)( dislocation)：晶格中的斷續(xù)現(xiàn)象，是一種晶格缺陷。

    擴(kuò)散的MOS( DMOS)：一種晶體管結(jié)構(gòu)。源極和漏極間距（溝道長(zhǎng)度）很小溝道長(zhǎng)度通過連續(xù)兩次從同一處擴(kuò)散形成。施主( donor)：某種可以將半導(dǎo)體變?yōu)镹型的雜質(zhì)。貢獻(xiàn)額外的“自由”電子，電子攜帶負(fù)電荷摻雜物( dopant)：一種可以改變半導(dǎo)體導(dǎo)電性的元素  町以對(duì)導(dǎo)電過程提供卒穴或電子  對(duì)硅的摻雜物往往來源于元素周期表中的第IIJ族和第V族元素