電參數(shù)退化
發(fā)布時(shí)間:2016/6/9 22:35:59 訪問(wèn)次數(shù):614
電參數(shù)退化。電參數(shù)AD9880KSTZ-100退化是指雙極型器件的電流增益下降、PN結(jié)反向漏電流增加、擊穿電壓蠕變等,對(duì)MOs器件則是平帶電壓、閾值電壓漂移、跨導(dǎo)下降、線性區(qū)漏極電流和飽和區(qū)漏極電流減少甚至源一漏穿通,對(duì)電荷耦合器件則是轉(zhuǎn)移效率下降等。
金屬化互連線開(kāi)路。超大規(guī)模集成電路中,0,13um以上線寬的CMOs工藝中,金屬互連線大多采用鋁膜(Al),這是因?yàn)殇X膜具有導(dǎo)電率高、能與硅材料形成低阻的歐姆接觸、與s⒑2層等介質(zhì)膜具有良好的黏附性和便于加工等優(yōu)點(diǎn)。但使用中也存在一些問(wèn)題,如質(zhì)地較軟、機(jī)械強(qiáng)度低、容易劃傷、化學(xué)性活潑、易受腐蝕、在高電流密度時(shí)抗電遷移能力差。在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大,器件尺寸進(jìn)一步縮小時(shí),互連線中電流密度上升,鋁條中電遷移現(xiàn)象更為嚴(yán)重,成為VLsI可靠性中一個(gè)主要問(wèn)題。
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金屬化互連線開(kāi)路。超大規(guī)模集成電路中,0,13um以上線寬的CMOs工藝中,金屬互連線大多采用鋁膜(Al),這是因?yàn)殇X膜具有導(dǎo)電率高、能與硅材料形成低阻的歐姆接觸、與s⒑2層等介質(zhì)膜具有良好的黏附性和便于加工等優(yōu)點(diǎn)。但使用中也存在一些問(wèn)題,如質(zhì)地較軟、機(jī)械強(qiáng)度低、容易劃傷、化學(xué)性活潑、易受腐蝕、在高電流密度時(shí)抗電遷移能力差。在電路規(guī)模不斷擴(kuò)大,器件尺寸進(jìn)一步縮小時(shí),互連線中電流密度上升,鋁條中電遷移現(xiàn)象更為嚴(yán)重,成為VLsI可靠性中一個(gè)主要問(wèn)題。
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