在半導(dǎo)體材料中,以離子形態(tài)存在的金屬離子污染物,稱為可動離子污染物(MIC,Mobilc Ion Contamination)。 CY27H010-45WMB這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強的可移動性,即使在器件通過了電性能測試并且從生產(chǎn)廠運送出去,金屬離子仍可在器件中移動從而造成器件失效。危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬離子,它們在普通化學(xué)品和工藝中都很常見(如表3,5所示)。

   最常見的可動離子污染物是鈉離子。鈉離子是硅中移動性最強的物質(zhì),因此,對鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的首要目標(biāo)。MIC的問題對MOs器件的影響更為嚴(yán)重,所以,在晶圓中,MIC污染物必須被控制在1010原子/cm2的范圍內(nèi)甚至更少。有必要采取措施研制開發(fā)MOs級或低鈉級的化學(xué)品。這也是半導(dǎo)體業(yè)的化學(xué)品生產(chǎn)商努力的方向。