金屬硅化物的產(chǎn)生與形成

   難熔金屬與硅在一起發(fā)生反應(yīng),熔合時形成硅化物。硅化物是一種具有熱穩(wěn)定性的金屬化合物,并且在硅/難熔金屬的分界面具有低的電阻率。EL5374IUZ在硅片制造業(yè)中,難熔金屬硅化物是非常重要的,因為為了提高芯片性能,需要減小許多源漏和柵區(qū)硅接觸的電阻。在鋁互連工藝技術(shù)中,鈦和鈷是用于改善接觸的普通難熔金屬。如果難熔金屬和多晶硅反應(yīng),那么它被稱為多晶硅化物。摻雜的多晶硅用做柵 電極,相對而言它有較高的電阻率(約5O0uΩ・cm),正是這較高的電阻率導(dǎo)致了不應(yīng)有的RC信號延遲。多晶硅化物對減小連接多晶硅的串聯(lián)電阻是有益的,同時也保持了多晶硅對氧化硅良好的界面特性。

   隨著超大規(guī)模集成電路器件尺寸的按比列縮小,MOs管的源/漏區(qū)和第一層金屬間的接觸面積越來越小,這個小的接觸面積將導(dǎo)致接觸電阻增加。一個可提供穩(wěn)定接觸結(jié)構(gòu)、減小源/漏區(qū)接觸電阻的工藝被稱為自對準(zhǔn)硅化物技術(shù)。它能很好地與露出的源(s)、漏(D)以及多晶硅柵的硅對準(zhǔn)。許多芯片的性能問題取決于自對準(zhǔn)硅化物的形成(如圖2.21和圖2.”所示),自對準(zhǔn)硅化物的主要優(yōu)點是避免了對準(zhǔn)誤差,硅化物的一些特性列于表2.10中。