MOs器件。隨著溝道電流的增加,熱載流子增加,注入氧化層中使gt和么t增加,這使MOS器件的平帶電壓(/F:)、 ESD5Z2.5T1G閾值電壓(Kh)漂移,跨導(dǎo)(g“ma對(duì))減小,變化達(dá)到一定數(shù)值即引起失效。圖5.1所示是MOS器件中熱載流子注入效應(yīng)示意圖。

   熱載流子主要為熱電子,所以N溝道MOS器件的熱載流子注入效應(yīng)比P溝道MOs器件的明顯。文獻(xiàn)報(bào)道:對(duì)于納米器件,有效溝道長(zhǎng)度縮小到65nm,漏源電壓(‰s)降至1.2V時(shí)仍發(fā)生熱載流子效應(yīng),此時(shí)PMOs器件的熱載流子注入效應(yīng)變得明顯起來。