LDD完成后,在圓片上沉積TEOs,隨后進(jìn)行各向同性的干法腐蝕,柵極多晶硅側(cè)壁的TEOs被保留下來,OP220GSZ-REEL而其他地方的TEOs被去掉。接著對注入后的LDD進(jìn)行高溫快速熱退火(Rapid Thcmal Anncal,RTA),如圖4,11所示。spaccr可為隨后的源漏注入做阻擋,這一工藝稱之為自對準(zhǔn)工藝。

   NMOS、PMOs源漏

   Spacer工序完成后,下一步熱生長一層薄氧化層,作為隨后進(jìn)行的源漏離子注入的注入阻擋層。然后采用7#光刻版進(jìn)行NMOs源(Sourcc)漏(Dr缸n)的光刻以及離子注入,如圖4。⒓所示。注入元素為As,劑量約為1015量級,注入能量約為60KcⅤ,離子注入形blMOs的源漏區(qū)域。注入完成后去除光刻膠并進(jìn)行清洗。