氮和氮化物。柵氧中OF140SC100D通常通過摻氮和氮化處理來減少在PMOs器件中的硼擴散,改善器件抗Hα效應(yīng)能力和增加介電常數(shù)等。但是氮的存在通常會使NBTI退化增強,國際半導(dǎo)體的Chaparala等人使用柵長為0.4um、厚度為6,犰m的MOs器件,在85℃和150℃的溫度下,測量熱載流子的不穩(wěn)定和NBTI效應(yīng),發(fā)現(xiàn)高濃度的氮使NBTI的退化增強,退化的激活能為0.胼eV。NEC的Ⅻmizuka等人使用柵氧厚度為2~4nm、0.18um線寬的MOSFET,他們測量餼h、gln和龜后發(fā)現(xiàn),P溝道MOSFET的NBTI比N溝道MOsFET的NBTI更嚴(yán)重。Ichinosc等人使用Si3N4沉積形成側(cè)壁并且發(fā)現(xiàn)NBTI壽命取決于氮化物膜中siH的濃度,較低的siH濃度導(dǎo)致NBTI壽命較長。

   Ⅱu等人發(fā)現(xiàn)采用N20氮化的二氧化硅,快速熱退火含氮二氧化硅曰No,遠程離子氮化的二氧化硅RPNo,由于其柵氧暴露在高密度的遠程氮的放電中,這些介質(zhì)都比純sio2有更低的NBTI退化。但高氮濃度的RPNo與低氮濃度相比具有更差的NBTI性能。Kimizuka等人找到退化NBTI的氮,具有更高含量的氮導(dǎo)致更嚴(yán)重的退化。