隨著超大規(guī)模集成電路線寬的不斷縮小,柵氧化層變得越來越薄,而電源電壓卻不能按比例下降。BP1361柵氧化層工作在較高的電場強度下,使柵氧化層的抗電性能成為一個突出的問題。柵極氧化層的抗電性能不好將引起MOs器件電參數(shù)的不穩(wěn)定,進一步可引起柵氧化層的漏電和擊穿。

   評價柵氧化層可靠性的結構一般都是MOs電容。評價柵氧化層不同位置的特性,需要設計不同的結構,主要有3種結構:大面積MOs電容、多晶硅樹狀電容、有源區(qū)樹狀電容等。評價氧化膜的方法主要有斜坡電壓法、斜坡電流法、恒定電壓法及恒定電流法(用的相對較少)。本節(jié)內容僅介紹斜坡電壓和斜坡電流的柵氧可靠性評價。