在器件生產(chǎn)過程中,薄柵氧化層上的高電場是影響器件成品率和可靠性的主要因素。 BP1601當(dāng)有足夠的電荷注入氧化層時(shí),會發(fā)生氧化層介質(zhì)的擊穿,這種擊穿可以在介質(zhì)層上施加電流或施加一個(gè)高電場來獲得。由于電荷的注入會產(chǎn)生結(jié)構(gòu)變化(陷阱、界面態(tài)等),引起局部電流的增加,產(chǎn)生熱損傷,導(dǎo)致氧化層有一條低的電阻通路,在介質(zhì)層上產(chǎn)生不可恢復(fù)的漏電。

   斜坡電壓的測量

   JEDEC35“Proccdurc for曲c Wafer-L田cl Tcsting of Thin Dielcc饣ics”標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)了斜坡電壓測試方法,用于評價(jià)氧化層的可靠性。氧化層上的斜坡電壓測試是最經(jīng)濟(jì)最快速的測試技術(shù),可以以很高的靈敏度評價(jià)氧化層的質(zhì)量和可靠性,可以用于生產(chǎn)監(jiān)控。影響氧化層退化的工藝過程能夠被斜坡電壓法檢測出來。

   測試由3個(gè)步驟組成,即初始測試、斜坡應(yīng)力測試和應(yīng)力后測試。初始測試是為了確認(rèn)在使用應(yīng)力下的漏電流小于1卜認(rèn),符合條件的進(jìn)行下一步的斜坡應(yīng)力測試。斜坡應(yīng)力測試是在氧化層上加上步進(jìn)的電壓應(yīng)力,同時(shí)連續(xù)(或者隔某一段時(shí)間間隙)測量流過氧化層的電流值。