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VLSI突出的可靠性問題

發(fā)布時(shí)間:2016/6/29 21:10:30 訪問次數(shù):554

    按等比例縮小原理,器件尺寸縮小庀倍,電源電壓減少佬倍,摻雜濃度增加庀倍。HCNR200-500E這一等比例縮小規(guī)則已令人滿意地使器件溝道長(zhǎng)度縮小到90nm,但其中有兩個(gè)致命的可靠性問題。首先是線電流密度增加庀倍,使電遷移危險(xiǎn)增加,其次是柵氧化層中的電場(chǎng)增強(qiáng)。如果器件為保持與現(xiàn)有邏輯兼容而以保持恒定電源電壓的等比例縮小,貝刂這些影響將更為嚴(yán)重。電流密度將以縮小因子的三次方增加,電場(chǎng)也將隨縮小因子而增加,這使功率密度增加,結(jié)溫更高。           ・

   表8.6列出了不同廠家器件的失效數(shù)據(jù)。其中,BT MOs是美國(guó)電信部門有關(guān)PMOs電路的電話交換機(jī)的現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì),鋁金屬化腐蝕是主要失效機(jī)理;第二、第三列來自美國(guó)BELL實(shí)驗(yàn)室的商用器件報(bào)告;第四列是RCA可靠性分析中心的數(shù)據(jù);最后一列是4OO0系列失效分析結(jié)果,主要的原因是氧化層和金屬化,正好和VLsI的可靠性問題吻合。

    


    按等比例縮小原理,器件尺寸縮小庀倍,電源電壓減少佬倍,摻雜濃度增加庀倍。HCNR200-500E這一等比例縮小規(guī)則已令人滿意地使器件溝道長(zhǎng)度縮小到90nm,但其中有兩個(gè)致命的可靠性問題。首先是線電流密度增加庀倍,使電遷移危險(xiǎn)增加,其次是柵氧化層中的電場(chǎng)增強(qiáng)。如果器件為保持與現(xiàn)有邏輯兼容而以保持恒定電源電壓的等比例縮小,貝刂這些影響將更為嚴(yán)重。電流密度將以縮小因子的三次方增加,電場(chǎng)也將隨縮小因子而增加,這使功率密度增加,結(jié)溫更高。           ・

   表8.6列出了不同廠家器件的失效數(shù)據(jù)。其中,BT MOs是美國(guó)電信部門有關(guān)PMOs電路的電話交換機(jī)的現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì),鋁金屬化腐蝕是主要失效機(jī)理;第二、第三列來自美國(guó)BELL實(shí)驗(yàn)室的商用器件報(bào)告;第四列是RCA可靠性分析中心的數(shù)據(jù);最后一列是4OO0系列失效分析結(jié)果,主要的原因是氧化層和金屬化,正好和VLsI的可靠性問題吻合。

    


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