是正態(tài)均值,描述質(zhì)量特性值分布的集中位置;σ是正態(tài)方差,描述

質(zhì)量特性值分布的分散程度。CAP008DG在上述各參數(shù)的統(tǒng)計(jì)中,s公司樣品的各個工藝參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)差均小于H公司樣品,說明S公司的工藝一致性較好,工藝偶然偏差較小。由于受柵極多晶硅耗盡的影響,計(jì)算出的氧化層厚度是電性能等價的氧化層厚度,這個厚度比實(shí)際的物理層厚度要大一些,與相關(guān)文獻(xiàn)報道的當(dāng)柵介質(zhì)厚度小于狁m條件下,電性能測試厚度比實(shí)際物理層厚度大約0.sllm的研究接近。兩批樣品的平帶電壓接近。H公司電容樣品的氧化層固定電荷密度比s公司電容樣品的氧化層固定電荷密度要低。如圖9.20所示,圖中實(shí)線是H公司樣品的氧化層固定電荷密度擬合的正態(tài)分布曲線,虛線則是s公司的氧化層圃定電荷密度擬合的正態(tài)分布曲線。從中可見H公司樣品的中心值較低,表明固定電荷密度較低。而S公司的曲線表明s公司樣品的電荷密度的中心分布更集中一些。