影響氧化層電荷的因素很多。柵氧化CAP003DG后的溫度應低于950℃左右,因為柵氧化后工藝溫度太高、時間太長會使氧化物陷阱電荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。柵氧化后退火氣氛一般有兩種,一種是惰性氣體,常用的是N2氣;另一種是所謂的形成氣氛,即含有一定比例H2氣的N2氣的氣體。實驗表

明:純N2氣氛退火有較多的氧化物陷阱電荷,而形成氣氛退火時的氧化物陷阱電荷較少,主要原因是H2的存在增加了電子陷阱,從而對空穴陷阱起了補償作用。

   X射線、澍線等產生的氧化層陷阱電荷會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,產生明顯的空間電荷效應,對產生新的電荷起抑制作用。

   輻射條件下,柵氧化層中產生的電子一空穴對近似與柵氧化層的體積成正比。 因此,對固定幾何尺寸的晶體管來說,單位面積下的電子一空穴對數量與氧化層的厚度成正比。假設輻射在氧化層中均勻產生電子一空穴對,并以固定百分比被氧化物陷阱俘獲形成正電荷,那么被陷阱俘獲的空穴與柵氧化層厚度呈一種線性關系。沿厚度方向對空穴積分即可得到被俘獲的空穴所產生的電場,該電場與氧化層厚度的刀次方成正比,刀的取值范圍一般為1~3。