blBTI效應(yīng)是指對(duì)器件施加負(fù)的柵壓和溫度應(yīng)力條件下所發(fā)生的一系列現(xiàn)象,它DSEE6-06CC主要發(fā)生在PMOsFET中,其典型的應(yīng)力條件是柵氧電場(chǎng)|‰smax H吒sH1・5‰snlax源、漏極和襯底均接地。NBTI效應(yīng)對(duì)閾值電壓的影響最為嚴(yán)重,并且隨著應(yīng)力電壓和溫度的升高而不斷增加。

   在柵極上加上應(yīng)力電壓,并且在源、漏極和襯底均接地的情況下進(jìn)行NBTI效應(yīng)的測(cè)量,以閾值電壓或跨導(dǎo)的變化作為器件退化的失效判據(jù),試驗(yàn)流程如圖1l.16所示。

   將封裝后的測(cè)試結(jié)構(gòu)放入環(huán)境溫度為80~150℃的高溫箱中,待測(cè)試結(jié)構(gòu)上的再在柵極上加上負(fù)偏置電壓。