顧名思義,外延(Epitaxy)技術(shù)是指在具有一定結(jié)晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上向“外” HD64F2134BFA20V延伸出并按一定晶體學(xué)方向生長薄膜的方法,這個(gè)延續(xù)生長出的晶體層被稱為外延層。在晶格匹配的襯底上,利用金屬有機(jī)物為源材料進(jìn)行的化學(xué)氣相外延生長,根據(jù)其英文全稱Mctal-Organicˇ即or Phasc Epitaxy,一般簡化為MOVPE。基于外延原始意義,它也涵蓋材料生長中在己有材料(或襯底)上的覆蓋生長(Ncrgrowth)成膜現(xiàn)象。

   不論是氮化物系列的藍(lán)綠光LED,還是AlGaInP系列的紅黃光LED,目前其大規(guī)模生產(chǎn)制造工藝主要采用MOCVD設(shè)備與技術(shù),其中文名稱是“金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積”,顧名思義,就是利用金屬有機(jī)物為源材料進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。用MOCVD進(jìn)行LED材料外延的的基本生長原理是:氫氣或惰性氣體(氮?dú)�、或氬�?作為載氣把含有Ⅲ族元素的金屬有機(jī)物(Mo)源和含有V族元素的非金屬氫化物(NH3,AsH3,或PH3)攜帶到 反應(yīng)室中的加熱襯底上方,在氣相和氣固界面發(fā)生一系列化學(xué)和物理變化,最終在襯底上形成外延層。

   以生長藍(lán)綠光LED結(jié)構(gòu)中最基本最核心的氮化鎵(⒍Ⅸ)為例,載氣(氫氣、氮?dú)狻?/span>或氬氣)通過容有三甲基鎵[GH3)3Ga,簡寫為TMGa]的鼓泡源瓶,攜帶其蒸氣進(jìn)入反應(yīng)室;Ga金屬源蒸氣與進(jìn)入反應(yīng)室的NH3在加熱到約110O℃的襯底表面(如藍(lán)寶石),: