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近耦合噴淋反應(yīng)室

發(fā)布時間:2016/7/28 22:04:21 訪問次數(shù):765

   近耦合噴淋反應(yīng)室(C1ose Coup1ed showe血ead,CCs):圖⒈9為德國愛思強(qiáng)(AIXTRON)公司(原英國劍橋的Thomas swan公司,后被AIXTRON公司收購)的立式近耦合噴淋反應(yīng)室示意圖。其特點是進(jìn)氣系統(tǒng)為雙層結(jié)構(gòu)的噴淋頭:一層通Mo源,A914BYW-100M另一層通Ⅴ族源。在噴淋頭最靠近托盤的地方有一層水道,通恒溫水對噴淋頭進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。通過噴淋頭密集而又細(xì)小的噴孔,Mo源和Ⅴ族源分別被噴向反應(yīng)腔內(nèi)相距不遠(yuǎn)(約10~20mm[l")的托盤,在襯底上進(jìn)行外延生長。該反應(yīng)腔技術(shù)特點為:(1)距離小,一方面有利于抑制基座上方的渦流形成,但另一方面會使噴淋頭表面受熱輻射而產(chǎn)生高溫沉積;(2)噴淋頭噴孔細(xì)小密集(噴孔內(nèi)徑0.6mm,密度達(dá)到15.5個/cm2),使分別從兩組相間的噴孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源,在經(jīng)過短距離到達(dá)襯底前也能充分混合,保障了反應(yīng)氣體濃度基本相同,并均勻分配到外延上方,從而得到均勻的外延層;(3)托盤采用三組電阻加熱;基座中速旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)速率通常為50~⒛0rpm。由于噴口與熱托盤之間的距離近,反應(yīng)過程中容易在噴淋頭表面形成沉積物,使得有雜質(zhì)殘留并使溫場漂移,需要每長一爐后打開反應(yīng)腔進(jìn)行清理去除殘留,降低了設(shè)備使用效率。

   

   近耦合噴淋反應(yīng)室(C1ose Coup1ed showe血ead,CCs):圖⒈9為德國愛思強(qiáng)(AIXTRON)公司(原英國劍橋的Thomas swan公司,后被AIXTRON公司收購)的立式近耦合噴淋反應(yīng)室示意圖。其特點是進(jìn)氣系統(tǒng)為雙層結(jié)構(gòu)的噴淋頭:一層通Mo源,A914BYW-100M另一層通Ⅴ族源。在噴淋頭最靠近托盤的地方有一層水道,通恒溫水對噴淋頭進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。通過噴淋頭密集而又細(xì)小的噴孔,Mo源和Ⅴ族源分別被噴向反應(yīng)腔內(nèi)相距不遠(yuǎn)(約10~20mm[l")的托盤,在襯底上進(jìn)行外延生長。該反應(yīng)腔技術(shù)特點為:(1)距離小,一方面有利于抑制基座上方的渦流形成,但另一方面會使噴淋頭表面受熱輻射而產(chǎn)生高溫沉積;(2)噴淋頭噴孔細(xì)小密集(噴孔內(nèi)徑0.6mm,密度達(dá)到15.5個/cm2),使分別從兩組相間的噴孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源,在經(jīng)過短距離到達(dá)襯底前也能充分混合,保障了反應(yīng)氣體濃度基本相同,并均勻分配到外延上方,從而得到均勻的外延層;(3)托盤采用三組電阻加熱;基座中速旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)速率通常為50~⒛0rpm。由于噴口與熱托盤之間的距離近,反應(yīng)過程中容易在噴淋頭表面形成沉積物,使得有雜質(zhì)殘留并使溫場漂移,需要每長一爐后打開反應(yīng)腔進(jìn)行清理去除殘留,降低了設(shè)備使用效率。

   

相關(guān)技術(shù)資料
7-28近耦合噴淋反應(yīng)室
4-5在走燈chase中增加一步
相關(guān)IC型號
A914BYW-100M
暫無最新型號

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