機(jī)器模型的損害主要來源是能量迅速地從一個(gè)帶電的導(dǎo)電體傳輸?shù)狡骷膶?dǎo)電引腳。K4D263238D-QC50這個(gè)靜電放電模型是20O pF的電容直接對(duì)50OnH的電感器放電,沒有串聯(lián)電阻。由于缺乏限制電流的串聯(lián)電阻器,這個(gè)模型接近一個(gè)電壓源。在現(xiàn)實(shí)中,這個(gè)模型代表了物體之間的迅速放電,譬如帶電的電路板裝置,帶電的電線或一個(gè)自動(dòng)測試的傳導(dǎo)手臂。放電本身具有5~8納秒上升時(shí)間和大約80納秒周期的正弦衰減波形。機(jī)器模型是模擬實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)中,機(jī)械手上帶電對(duì)芯片造成的影響,遵循的標(biāo)準(zhǔn)有EIAJ-IC-⒓l METHOD20,

EIA JESD22-A115-A(JEDEC,1997), EsD STλ江5,(EOS/ESD,1999)。

   帶電器件模型敏感度(CDM)

  帶電器件模型的損害主要來源是能量從一個(gè)帶電器件迅速地釋放。靜電放電完全與器件相關(guān),但器件與地電位面的相對(duì)距離,卻能影響實(shí)際的失效水平該模型假定,當(dāng)帶電器件的導(dǎo)電管腳與具有較低的電位的導(dǎo)體表面接觸時(shí),會(huì)發(fā)生迅速放電。帶電器件模型測

試標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)備過程中的一個(gè)主要問題,是如何找到適當(dāng)儀器測量放電過程。信號(hào)波形的上升時(shí)間經(jīng)常是少于,O0微微秒。整個(gè)過程可能發(fā)生在少于2.0納秒的時(shí)間里。雖然時(shí)間非常短,放電時(shí)電流卻能達(dá)到幾十安培的水平。與前面兩個(gè)模型不同,CDM模型是設(shè)備帶電,

然后放電。遵循的標(biāo)準(zhǔn)有EsD DS5.3.1。在我國LED行業(yè)中,目前大部分用人體放電模型作為對(duì)LED的抗靜電放電性能的測試標(biāo)準(zhǔn),一般只做500V,1000V,⒛00V的反向放電測試。這主要是為當(dāng)前生產(chǎn)流程和包裝過程中,工人與器件的接觸是靜電放電的主要來源。