設(shè)備條件是了解所用蒸鍍設(shè)各的情況,確定可蒸鍍的薄膜及操作方法。電子束L3G4200DTR蒸鍍設(shè)各是當(dāng)前使用最多的設(shè)備,它可以制各的薄膜材料范圍廣泛,如常用金屬、難熔金屬、合金、化合物等。但是,電子束蒸鍍對襯底有輻射損傷,M(E器件和電路對輻射損傷敏感,一般不采用電子束蒸鍍工藝來制備它的金屬化系統(tǒng),此時(shí)可以采用電感蒸鍍設(shè)各。而常用金屬薄膜,如果對薄膜純度要求不高,通常使用結(jié)構(gòu)簡單的電阻蒸鍍設(shè)備就能滿足要求。

   在按照上述三方面確定了蒸鍍薄膜工藝的方法、條件之后,盡管薄膜、襯底、設(shè)備有所不同,具體I藝有所差異,但都有如下的工藝步驟:準(zhǔn)備一抽真空→預(yù)蒸→蒸發(fā)一取片。

   ①準(zhǔn)各。將清洗干凈的襯底擺放在支架上,試旋轉(zhuǎn)襯底;源裝在加熱器內(nèi),根據(jù)源選擇加熱器,如鋁絲用鎢絲加熱器,銀粉用鉬舟加熱器,高熔點(diǎn)材料采用電子束加熱器等。

   ②抽真空。打開真空系統(tǒng),抽真空至基壓達(dá)104Pa以上,再打開襯底加熱器對襯底烘烤,使襯底及真空室壁面吸附氣體解吸,再對襯底表面進(jìn)行電子束流的轟擊,以去除襯底光刻窗口本征生長的氧化層或所吸附物質(zhì),清潔襯底表面,進(jìn)一步提高真空室的真空度。

   ③預(yù)蒸。不開擋板,加熱源蒸發(fā),以去除源表面的氧化物等不純物質(zhì)。

   ④蒸發(fā)。打開擋板開始蒸鍍,源加熱功率應(yīng)適當(dāng)(使坩堝溫度控制在蒸發(fā)工藝溫度)。功率過高,蒸發(fā)速率過快,所淀積的薄膜晶粒長大、表面不平整;功率過低,薄膜疏松、與襯底黏附不牢。薄膜厚度滿足要求立即關(guān)斷擋板,完成蒸鍍。

   ⑤取片。蒸鍍完畢不要立即取出襯底硅片,必須等溫度降至室溫附近再停止抽真空,停機(jī)取片,以避免高溫薄膜遇空氣氧化或吸附空氣中雜物。考慮使用方便起見,工程上直接將蒸發(fā)物質(zhì)、蒸發(fā)溫度和蒸發(fā)速率之間的關(guān)系繪制成為諾漠圖,需要時(shí)應(yīng)查閱相關(guān)資料。