接近式光刻機(jī)是從接觸式光刻機(jī)發(fā)展而來(lái)的,并且在⒛世紀(jì)70年代的SSI時(shí)代和MSI早期同時(shí)普遍使用。 M74HC03B1R這些光刻機(jī)如今仍然在生產(chǎn)量小的實(shí)驗(yàn)室或較老的生產(chǎn)分離器件的硅片生產(chǎn)線(xiàn)中使用,在那里更新設(shè)備在經(jīng)濟(jì)上不可行。它們適用于線(xiàn)寬尺寸為2~4um。

   在接近式光刻中,也是直接復(fù)制整個(gè)硅片圖形,但掩模板不與光刻膠直接接觸,而與光刻膠表面接近,在掩模板和硅片表面光刻膠之間留有2.5~25um的間距。光源產(chǎn)生的光是被準(zhǔn)直的,這意味

著光束彼此平行。

   接近式光刻企圖緩解接觸式光刻機(jī)的沾污問(wèn)題,它是通過(guò)在光刻膠表面和掩模板之間形成可以避免顆粒的間隙實(shí)現(xiàn)的。盡管間距大小被控制,接近式光刻機(jī)的工作能力還是被減小了。因?yàn)楫?dāng)紫

外光線(xiàn)通過(guò)掩模板透明區(qū)域和空氣時(shí)就會(huì)發(fā)散(如圖10七1所示是接近式光刻機(jī)上的邊緣衍射和表面反射)。這種情況減小了系統(tǒng)的分辨能力,減小線(xiàn)寬關(guān)鍵尺寸就成了主要問(wèn)題。