接近式光刻機是從接觸式光刻機發(fā)展而來的,并且在⒛世紀(jì)70年代的SSI時代和MSI早期同時普遍使用。 M74HC03B1R這些光刻機如今仍然在生產(chǎn)量小的實驗室或較老的生產(chǎn)分離器件的硅片生產(chǎn)線中使用,在那里更新設(shè)備在經(jīng)濟上不可行。它們適用于線寬尺寸為2~4um。

   在接近式光刻中,也是直接復(fù)制整個硅片圖形,但掩模板不與光刻膠直接接觸,而與光刻膠表面接近,在掩模板和硅片表面光刻膠之間留有2.5~25um的間距。光源產(chǎn)生的光是被準(zhǔn)直的,這意味

著光束彼此平行。

   接近式光刻企圖緩解接觸式光刻機的沾污問題,它是通過在光刻膠表面和掩模板之間形成可以避免顆粒的間隙實現(xiàn)的。盡管間距大小被控制,接近式光刻機的工作能力還是被減小了。因為當(dāng)紫

外光線通過掩模板透明區(qū)域和空氣時就會發(fā)散(如圖10七1所示是接近式光刻機上的邊緣衍射和表面反射)。這種情況減小了系統(tǒng)的分辨能力,減小線寬關(guān)鍵尺寸就成了主要問題。