在微電子芯片制造過(guò)程中,常常需要在硅片表面做出極微細(xì)尺寸的圖形,而這些M93C66WMN6TR微細(xì)圖形最主要的形成方式,是使用刻蝕技術(shù)將光刻技術(shù)所產(chǎn)生的光刻膠圖形,包括線、面和孔洞,準(zhǔn)確無(wú)誤地轉(zhuǎn)印到光刻膠底下的材質(zhì)上,以形成整個(gè)芯片所應(yīng)有的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。因此,刻蝕技術(shù)與光刻技術(shù)總稱為圖形轉(zhuǎn)印技術(shù),在半導(dǎo)體N制造過(guò)程~L占有極為重要的地位。

    一般來(lái)說(shuō),在ULS1中對(duì)刻蝕技術(shù)的基本要求包括4個(gè)方面:①圖形轉(zhuǎn)移的保真度。保真度即各向異性程度。②選擇比。選擇比是指兩種不同材料在腐蝕過(guò)程中被腐蝕的速率比。通常用選擇比來(lái)

描述圖形轉(zhuǎn)移中各層材料的相互影響。③均勻性。在硅片上生長(zhǎng)的薄膜的厚度存在起伏,而彐.同一硅片不同部位的腐蝕速率也并不相同,這些因素都會(huì)造成腐蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。④刻蝕的清潔。

USLI的圖形非常精細(xì),在刻蝕的過(guò)程中如果引人沾污,即影響圖形轉(zhuǎn)移的精度,又增加了刻蝕后清洗的復(fù)雜性和難度。所以防止沾污是刻蝕的一個(gè)重要要求。本章從刻蝕概述、濕法刻蝕、干法刻蝕和刻蝕技術(shù)新進(jìn)展等方面介紹刻蝕技術(shù),包括對(duì)硅、氮化硅、氧化硅、金屬及金屬化合物等不同材料的刻蝕應(yīng)用。