在CMOS電路的一個反相器中,p溝和n溝MOSFET的源漏,都是由同種導電類型的半導體材料構成的,并和襯底(阱)的導電類型不同。 PAM2305DABADJ因此,MOsEET本身就是被pll結所隔離的,即自隔離。只要維持源/襯底pn結和漏/襯底pn結的反偏.MC)SFET便能維持自隔離。而在pMOs和nMOs元件之間和反相器之間的隔離通常是采用介質(zhì)隔離。CMOS電路的介質(zhì)隔離工藝主要是局部場氧化工藝和淺槽隔離I藝。

  局部場氧化工藝

   局部場氧化工藝(LOCd Oxlda0on引lcon,I'OCOS)是通過厚場氧化層絕緣介質(zhì),以及離子注人提高場氧化層下硅表面區(qū)域的雜質(zhì)濃度實現(xiàn)電隔離的。(℃C)S工藝剖視圖如圖1211所示。